[发明专利]一种去耦电容优化选择方法、系统

权利要求书

1.一种去耦电容优化选择方法，其特征在于，所述方法包括：

确定添加去耦电容的总寄生电容和总寄生电感的参数范围；

选择去耦电容规格，并确定所选去耦电容的总寄生电容值和总寄生电感值；

判断所选去耦电容的总寄生电容值和总寄生电感值是否在所述参数范围内，若是；

则对PCB板进行谐振仿真，确定去耦电容的PCB布局设计，完成去耦电容优化选择。

2.根据权利要求1所述的去耦电容优化选择方法，其特征在于，

添加去耦电容的总寄生电感L_all的上限值L_max表示为：其中，Z_o表示目标阻抗，f_o表示目标截止频率；L_all≤L_max；

需添加去耦电容的总寄生电容的下限值C_min表示为：其中，f_e表示[0，f_m]范围内，目标阻抗Z_o与实际阻抗Z的交点，f_m表示目标截止频率范围内，实际阻抗的最大反谐振点频率；C_all≥C_min。

3.根据权利要求2所述的去耦电容优化选择方法，其特征在于，选择去耦电容规格包括以下步骤：

根据频率点f_cⁱ确定第i个去耦电容C_i的规格，并绘制去耦电容C_i的阻抗曲线Z_Ci；

确定阻抗曲线Z_Ci与目标阻抗Z_o的较小频率交点f₁、较大频率交点f₂；

若f₁＜f_e且f₂＞f_o，则结束去耦电容规格选择，否则令i＝i+1，根据频率点f_cⁱ⁺¹确定第i+1个去耦电容C_i+1的规格，重复上述步骤继续添加去耦电容直至结束去耦电容规格选择。

4.根据权利要求3所述的去耦电容优化选择方法，其特征在于，根据频率点f_cⁱ确定第i个去耦电容C_i的规格包括：

从电容库中选择自谐振点频率f_si接近f_m的电容作为第i个去耦电容，其中，f_m表示目标截止频率范围内，实际阻抗的最大反谐振点，L为选取电容的寄生电感值，C为电容值。

5.根据权利要求3或4所述的去耦电容优化选择方法，其特征在于，f₁≥f_e时频率点f_cⁱ⁺¹的确定包括以下步骤：

判断|f_cⁱ-f₁|是否小于1/4*f_cⁱ；

若|f_cⁱ-f₁|＞1/4*f_cⁱ，则令频点间隔Δf₁＝|f_cⁱ-f₁|，f_cⁱ⁺¹＝f_cⁱ-Δf₁；

若|f_cⁱ-f₁|≤1/4*f_cⁱ，则令频点间隔Δf₁＝1/4*f_cⁱ，f_cⁱ⁺¹＝f_cⁱ-Δf₁。