[发明专利]一种碳化硅微晶磨料体的制备方法

权利要求书

1.一种碳化硅微晶磨料体的制备方法，其特征在于：所述碳化硅微晶磨料体的制备方法包括以下步骤：

S1：选取粒度小于5微米的碳化硅超细粉体作为基础材料Ⅰ；

S2：在基础材料Ⅰ中加入添加剂，形成基础材料Ⅱ，所述添加剂重量占基础材料Ⅱ总重量的0.1wt%—5wt%；

S3：在基础材料Ⅱ中加入结合剂，形成基础材料Ⅲ，所述结合剂重量占基础材料Ⅲ总重量的1wt%—20wt%；

S4：在基础材料Ⅲ中加入润滑剂和脱模剂，形成基础材料Ⅳ，所述润滑剂和脱模剂的重量之和占基础材料Ⅳ总重量的0.1wt%—1wt%；

S5：在基础材料Ⅳ中加入水，形成基础材料Ⅴ，所述水的重量占基础材料Ⅴ总重量的40wt%—60wt%；

S6：把基础材料Ⅴ混合均匀后喷雾造粒，形成基础材料Ⅵ；

S7：通过成型制作方法，把基础材料Ⅵ制成使用者所需形状的坯体，把坯体烘干，形成基础材料Ⅶ；

S8：把基础材料Ⅶ放入真空热处理炉中，在真空环境下加热到1800℃—2300℃进行真空热处理，得到本发明所述碳化硅微晶磨料体；

其中，步骤S2中所述添加剂是碳化钨、或碳化硼、或硼化钛；

步骤S3中所述结合剂是由纤维素、树脂、PVP-K90三种材料按照任意比例混合而成的混合物；

步骤S7中所述成型制作方法是滚压成型法、或压制成型法、或挤压成型法。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅微晶磨料体的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中选取碳化硅超细粉体的粒度为2微米。

3.根据权利要求1所述的一种碳化硅微晶磨料体的制备方法，其特征在于：所述步骤S2中在基础材料Ⅰ中加入硼化钛，形成基础材料Ⅱ，所述硼化钛重量占基础材料Ⅱ总重量的2.5wt%。

4.根据权利要求1所述的一种碳化硅微晶磨料体的制备方法，其特征在于：所述步骤S3中结合剂由纤维素、树脂、PVP-K90三种材料按照2:3:5比例混合而成，所述结合剂重量占基础材料Ⅲ总重量的8wt%。

5.根据权利要求1所述的一种碳化硅微晶磨料体的制备方法，其特征在于：所述步骤S4中润滑剂、脱模剂重量分别占基础材料Ⅳ总重量的0.3wt%、0.3wt%。

6.根据权利要求1所述的一种碳化硅微晶磨料体的制备方法，其特征在于：所述步骤S5中水的重量占基础材料Ⅴ总重量的55wt%。

7.根据权利要求1所述的一种碳化硅微晶磨料体的制备方法，其特征在于：所述步骤S8中对基础材料Ⅶ进行真空热处理的温度为1900℃—2100℃。