[发明专利]一种提高钙钛矿太阳电池环境稳定性的界面修饰方法在审
申请号: | 202210081323.2 | 申请日: | 2022-01-24 |
公开(公告)号: | CN114566597A | 公开(公告)日: | 2022-05-31 |
发明(设计)人: | 潘旭;刘国震;叶加久;徐申东;张辉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/42 |
代理公司: | 合肥市上嘉专利代理事务所(普通合伙) 34125 | 代理人: | 郭华俊 |
地址: | 230031 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 钙钛矿 太阳电池 环境 稳定性 界面 修饰 方法 | ||
1.一种提高钙钛矿太阳电池环境稳定性的界面修饰方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)清洗ITO导电玻璃基底;
(2)在ITO导电玻璃基底上制备SnO2电子传输层;
(3)采用N,N-二甲基甲酰胺和二甲基亚砜作为混合溶剂来配制钙钛矿前驱液;
(4)将步骤(3)配制好的钙钛矿前驱液通过旋涂法制备在步骤(2)完成的电子传输层上,然后进行150℃退火15min,制得钙钛矿吸光层;
(5)将十六烷基三甲基铵六氟磷酸盐溶解于异丙醇溶液,配制界面修饰剂前驱液;
(6)将步骤(5)配制的界面修饰剂前驱液旋涂在步骤(4)制得的钙钛矿薄膜表面,然后进行100℃退火5min;
(7)在完成步骤(6)后的钙钛矿薄膜上制备空穴传输层;
(8)在空穴传输层上蒸镀电极。
2.根据权利要求1所述的提高钙钛矿太阳电池环境稳定性的界面修饰方法,其特征在于,所述步骤(1)中,清洗ITO导电玻璃的方法为:将ITO玻璃放入含有洗涤剂的自来水中超声15min,然后依次采用丙酮、乙醇、超纯水分别超声15min,最后取出采用电吹风吹干或烘箱烘干。
3.根据权利要求1所述的提高钙钛矿太阳电池环境稳定性的界面修饰方法,其特征在于,所述步骤(2)中,在ITO导电玻璃上制备SnO2电子传输层的方法为旋涂法,且所使用的SnO2前驱液具体由含15%SnO2的胶体水溶液与超纯水按体积比1:6配置而成。
4.根据权利要求1所述的提高钙钛矿太阳电池环境稳定性的界面修饰方法,其特征在于,所述步骤(3)中,N,N-二甲基甲酰胺与二甲基亚砜按照体积比4:1混合,获得所述混合溶剂;而具体配制所述钙钛矿前驱液时:前驱液组分按照(FAPbI3)0.925(MAPbBr3)0.05(CsPbI3)0.025配比进行配制,浓度1.6M,且其中FA为HC(NH2)2+,MA为CH3NH3+。
5.根据权利要求1所述的提高钙钛矿太阳电池环境稳定性的界面修饰方法,其特征在于,所述步骤(4)中,旋涂工艺分为两个阶段:第一阶段转速1000rpm/min,旋涂时间10s;第二阶段转速4000rpm/min,旋涂时间30s;其中,当第二阶段进行到10~15s时,滴加100~150μL氯苯,旋涂结束后退火处理。
6.根据权利要求1所述的提高钙钛矿太阳电池环境稳定性的界面修饰方法,其特征在于,所述步骤(5)中,将十六烷基三甲基铵六氟磷酸盐溶解于异丙醇溶液中,浓度1mg/mL,40℃加热溶解后,即得目标所需的界面修饰剂前驱液。
7.根据权利要求1所述的提高钙钛矿太阳电池环境稳定性的界面修饰方法,其特征在于,所述步骤(6)中,旋涂工艺为:转速3000rpm/min,旋涂时间20s,每次旋涂取80μL。
8.根据权利要求1所述的提高钙钛矿太阳电池环境稳定性的界面修饰方法,其特征在于,所述步骤(7)中,空穴传输层选择Spiro-OMeTAD,首先将Spiro-OMeTAD溶于氯苯溶液,并加入tBP、Li盐和Co盐;旋涂工艺为:转速3000rpm/min,旋涂时间20s。
9.根据权利要求1所述的提高钙钛矿太阳电池环境稳定性的界面修饰方法,其特征在于,所述步骤(8)中,在空穴传输层上表面蒸镀80~100nm的金电极。
10.根据权利要求1~9任一所述的提高钙钛矿太阳电池环境稳定性的界面修饰方法,其特征在于,所述步骤(3)在氮气手套箱中完成,步骤(4)~步骤(7)均在干燥空气手套箱中完成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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H01L51-54 .. 材料选择