[发明专利]磁头及磁记录装置在审
申请号: | 202210078110.4 | 申请日: | 2022-01-24 |
公开(公告)号: | CN115410603A | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
发明(设计)人: | 中川裕治;成田直幸;高岸雅幸;前田知幸;永泽鹤美 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
主分类号: | G11B5/10 | 分类号: | G11B5/10;G11B5/11;H01L29/82 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 万利军;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁头 记录 装置 | ||
1.一种磁头,具备:
第1磁极;
第2磁极;及
层叠体,设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间,
所述层叠体包括:
第1磁性层;
第2磁性层,设置于所述第1磁性层与所述第2磁极之间;
第1非磁性层,设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间;
第2非磁性层,设置于所述第2磁性层与所述第2磁极之间;及
第3非磁性层,设置于所述第1磁极与所述第1磁性层之间,
所述第1磁性层包含包括Fe、Co及Ni的至少1个的第1元素,
所述第2磁性层包含(Fe100-xCox)100-yEy,其中,10atm%≤x≤50atm%,10atm%≤y≤90atm%,第2元素E包括选自由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群的至少1个,
所述第1磁性层不包含所述第2元素,或者,所述第1磁性层中的所述第2元素的浓度比所述第2磁性层中的所述第2元素的浓度低。
2.根据权利要求1所述的磁头,
沿着从所述第1磁极向所述第2磁极的第1方向的所述第1磁性层的第1厚度为沿着所述第1方向的所述第2磁性层的第2厚度的0.25倍以上且4倍以下。
3.根据权利要求2所述的磁头,
所述第3非磁性层与所述第1磁极及所述第1磁性层相接。
4.根据权利要求2所述的磁头,
所述第2非磁性层与所述第2磁性层及所述第2磁极相接。
5.根据权利要求2所述的磁头,
所述层叠体还包括第3磁性层,
所述第3磁性层设置于所述第2磁性层与所述第2非磁性层之间,
所述第3磁性层包含包括Fe、Co及Ni的至少1个的第1元素,
所述第3磁性层不包含所述第2元素,或者,所述第3磁性层中的所述第2元素的浓度比所述第2磁性层中的所述第2元素的浓度低。
6.根据权利要求2所述的磁头,
还具备线圈,
根据向所述线圈流动的记录电流,从所述第1磁极及所述第2磁极的至少任一者产生的记录磁场变化,
所述层叠体的电阻在所述记录电流为第1电流时是第1电阻,
所述电阻在所述记录电流为第2电流时是第2电阻,
所述电阻在所述记录电流为第3电流时是第3电阻,
所述第1电流的绝对值比所述第2电流的绝对值小,比所述第3电流的绝对值小,
所述第2电流的朝向与所述第3电流的朝向相反,
所述第1电阻比所述第2电阻低,比所述第3电阻低。
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