[发明专利]磁头及磁记录装置在审

专利信息
申请号: 202210078110.4 申请日: 2022-01-24
公开(公告)号: CN115410603A 公开(公告)日: 2022-11-29
发明(设计)人: 中川裕治;成田直幸;高岸雅幸;前田知幸;永泽鹤美 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
主分类号: G11B5/10 分类号: G11B5/10;G11B5/11;H01L29/82
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 万利军;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 磁头 记录 装置
【权利要求书】:

1.一种磁头,具备:

第1磁极;

第2磁极;及

层叠体,设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间,

所述层叠体包括:

第1磁性层;

第2磁性层,设置于所述第1磁性层与所述第2磁极之间;

第1非磁性层,设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间;

第2非磁性层,设置于所述第2磁性层与所述第2磁极之间;及

第3非磁性层,设置于所述第1磁极与所述第1磁性层之间,

所述第1磁性层包含包括Fe、Co及Ni的至少1个的第1元素,

所述第2磁性层包含(Fe100-xCox)100-yEy,其中,10atm%≤x≤50atm%,10atm%≤y≤90atm%,第2元素E包括选自由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群的至少1个,

所述第1磁性层不包含所述第2元素,或者,所述第1磁性层中的所述第2元素的浓度比所述第2磁性层中的所述第2元素的浓度低。

2.根据权利要求1所述的磁头,

沿着从所述第1磁极向所述第2磁极的第1方向的所述第1磁性层的第1厚度为沿着所述第1方向的所述第2磁性层的第2厚度的0.25倍以上且4倍以下。

3.根据权利要求2所述的磁头,

所述第3非磁性层与所述第1磁极及所述第1磁性层相接。

4.根据权利要求2所述的磁头,

所述第2非磁性层与所述第2磁性层及所述第2磁极相接。

5.根据权利要求2所述的磁头,

所述层叠体还包括第3磁性层,

所述第3磁性层设置于所述第2磁性层与所述第2非磁性层之间,

所述第3磁性层包含包括Fe、Co及Ni的至少1个的第1元素,

所述第3磁性层不包含所述第2元素,或者,所述第3磁性层中的所述第2元素的浓度比所述第2磁性层中的所述第2元素的浓度低。

6.根据权利要求2所述的磁头,

还具备线圈,

根据向所述线圈流动的记录电流,从所述第1磁极及所述第2磁极的至少任一者产生的记录磁场变化,

所述层叠体的电阻在所述记录电流为第1电流时是第1电阻,

所述电阻在所述记录电流为第2电流时是第2电阻,

所述电阻在所述记录电流为第3电流时是第3电阻,

所述第1电流的绝对值比所述第2电流的绝对值小,比所述第3电流的绝对值小,

所述第2电流的朝向与所述第3电流的朝向相反,

所述第1电阻比所述第2电阻低,比所述第3电阻低。

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