[发明专利]一种晶体管、制备方法、显示面板及显示装置

权利要求书

1.一种晶体管，其特征在于，包括：

衬底层；

栅极，所述栅极设置于所述衬底层的一侧，所述栅极包括第一金属层、第二金属层和第三金属层，所述第一金属层设置于所述衬底层与所述第二金属层之间，所述第二金属层设置于所述第一金属层与所述第三金属层之间，所述第一金属层的方阻和所述第三金属层的方阻均大于所述第二金属层的方阻。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述第一金属层的稳定性和所述第三金属层的稳定性均高于所述第二金属层的稳定性。

3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，还包括：

半导体层，所述半导体层设置于所述衬底层与所述栅极之间，或，所述栅极设置于所述衬底层与所述半导体层之间；

所述半导体层包括多晶硅或氧化物半导体。

4.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述第一金属层的材料与所述第三金属层的材料相同。

5.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述第二金属层的材料包括铝、铜和银中的一种。

6.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，

在所述第二金属层的材料包括铝的情况下，所述第一金属层的材料包括钼或钛，所述第三金属层的材料包括钼；

在所述第二金属层的材料包括铜的情况下，所述第一金属层的材料和所述第三金属层的材料均包括铜的化合物；

在所述第二金属层的材料包括银的情况下，所述第一金属层的材料和所述第三金属层的材料均包括氧化铟锡。

7.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，在所述第二金属层的材料包括铝，所述第一金属层的材料和所述第三金属层的材料均包括钼的情况下，所述第一金属层的厚度为70-90nm，所述第二金属层的厚度为290-310nm，所述第三金属层的厚度为40-60nm。

8.一种晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底层；

在所述衬底层的一侧依次设置第一金属层、第二金属层和第三金属层，以形成栅极，其中，所述第一金属层的方阻和所述第三金属层的方阻均大于所述第二金属层的方阻。

9.根据权利要求8所述的晶体管的制备方法，其特征在于，还包括：

测试所述第二金属层在不同膜层厚度条件下的方阻；

结合所述第二金属层的膜层制备工艺能力以及膜层可靠性，确定方阻最小的膜层厚度为所述第二金属层的目标膜层厚度。

10.根据权利要求9所述的晶体管的制备方法，其特征在于，还包括：

在所述第二金属层的膜层厚度为所述目标膜层厚度的情况下，测试不同膜层厚度搭配条件下的所述栅极的截面形貌，其中，所述膜层厚度搭配条件是所述第一金属层与所述第三金属层的不同膜层厚度搭配的条件；

根据所述栅极的截面形貌中的侧边坡度角，确定所述膜层厚度搭配条件中的目标膜层厚度搭配条件；

所述在所述衬底层的一侧依次设置第一金属层、第二金属层和第三金属层，以形成栅极，包括：

按照所述目标膜层厚度以及所述目标膜层厚度搭配条件，在所述衬底层的一侧依次设置所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层，以形成所述栅极。

11.根据权利要求8所述的晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底层的一侧依次设置第一金属层、第二金属层和第三金属层，以形成栅极，包括：

在所述衬底层的一侧依次设置第一金属膜、第二金属膜和第三金属膜；

在所述第三金属膜远离所述第二金属膜的一侧设置光刻胶层；

利用掩膜版对所述光刻胶层依次进行曝光和显影，得到光刻胶图形；

减少所述光刻胶图形的烘烤时间或跳过所述光刻胶图形的烘烤工艺；

依次刻蚀未被所述光刻胶图形遮挡的所述第三金属膜、所述第二金属膜和所述第一金属膜，得到所述第三金属层、所述第二金属层和所述第一金属层，以形成所述栅极。