[发明专利]一种进气装置及CVD设备

说明书

本申请提供了一种进气装置及CVD设备，涉及CVD设备技术领域。进气装置包括进气室本体、安装座、多孔透气件及挡风板；安装座设置于进气室本体，多孔透气件设置于安装座与进气室本体之间，且多孔透气件与安装座之间形成至少三个气流调节腔，安装座上对应气流调节腔设有进气接口，进气接口用于向对应的气流调节腔导入反应气体，进气室本体远离进气接口的一侧对应气流调节腔设有导气室；每个气流调节腔内均设有与进气接口对应的挡风板，挡风板位于多孔透气件与安装座之间。本申请提供的进气装置使反应气体进入导气室时能够很快的达到均匀流动的状态，以使晶圆生成厚度均匀、掺杂浓度均匀的外延层，无需设计较长的进气结构，降低成本。

技术领域

本发明涉及CVD设备技术领域，尤其涉及一种进气装置及CVD设备。

背景技术

晶圆的外延过程是制备化合物半导体器件不可或缺的环节，具体方式是利用CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)的方式在特定的半导体晶圆的表面沉积一层性能优异、缺陷较少的薄膜，该薄膜被称为外延层。该外延层的质量对晶圆制备的半导体器件的性能有很大的影响。

在利用化学气相沉积(CVD)的方式制备薄膜的过程中，除反应表面温度的均匀性外，反应气体流动的均匀性也对沉积薄膜的性能和质量有较大的影响。尤其是在低于常压下进行的CVD反应，反应气体从进气管路进入进气腔室时有着较大的初始速度，在进气室内容易形成较为明显的涡流。对于水平进气结构的进气室及反应室，为改善晶圆表面生长外延层的质量和性能通常有两种方式：1、将进气室设计的较长可以实现反应气体在到达晶圆表面时处于均匀流动的状态；2、采用气动或其他传动方式使晶圆处于旋转的状态。

以上两种方式虽然一定程度上能够缓解反应气体流动的不均匀对沉积的外延层质量及性能的影响。但进气室长度增加的同时也使得外延设备的长度增加，设备的重量及成本也同步增长；其次，使晶圆旋转无法完全消除反应气体流动的不均匀性对晶圆表面沉积外延层的厚度均匀性及掺杂浓度均匀性的影响。

发明内容

本申请的目的在于提供了一种进气装置及CVD设备，用以解决现有技术中存在的不足。

为达上述目的，第一方面，本申请提供了一种进气装置，应用于CVD设备，所述进气装置包括进气室本体、安装座、多孔透气件及挡风板；

所述安装座设置于所述进气室本体，所述多孔透气件设置于所述安装座与所述进气室本体之间，且所述多孔透气件与所述安装座之间形成至少三个气流调节腔，所述安装座上对应所述至少三个气流调节腔分别设有进气接口，所述进气接口用于向对应的所述气流调节腔导入反应气体，所述进气室本体对应所述至少三个气流调节腔分别设有导气室；

其中，每个所述气流调节腔中均设有与所述进气接口对应的所述挡风板，所述挡风板位于所述多孔透气件与所述安装座之间。

结合第一方面，在一种可能的实施方式中，所述气流调节腔的数量为三个，对应的所述导气室设有三个，三个所述导气室分别为第一导气室及为位于所述第一导气室两侧的第二导气室，其中，所述第一导气室的宽度大于所述第二导气室的宽度。

结合第一方面，在一种可能的实施方式中，所述多孔透气件具有连通所述气流调节腔与所述导气室的细小孔群。

结合第一方面，在一种可能的实施方式中，所述细小孔群包括多个细小孔，所述细小孔的孔径与数量成反比关系。

结合第一方面，在一种可能的实施方式中，所述挡风板设置于所述安装座或所述多孔透气件上，且所述挡风板靠近所述进气接口的一侧设有球缺面。

结合第一方面，在一种可能的实施方式中，所述进气接口处设有流量调节器和/或质量流量计。

结合第一方面，在一种可能的实施方式中，所述进气室本体为高纯石英材质或不锈钢材质。