[发明专利]一种发光二极管、显示面板、显示装置及制备方法有效
申请号: | 202210072135.3 | 申请日: | 2022-01-21 |
公开(公告)号: | CN114093998B | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
发明(设计)人: | 谢峰;岳大川 | 申请(专利权)人: | 季华实验室 |
主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44;H01L33/46;H01L33/58;H01L33/00 |
代理公司: | 北京开阳星知识产权代理有限公司 11710 | 代理人: | 李晶 |
地址: | 528200 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 显示 面板 显示装置 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管,其特征在于,包括:
发光元件、平坦化层、光路调节层和透镜层;
所述平坦化层位于所述发光元件和所述透镜层之间;
所述光路调节层设置在所述平坦化层内;
所述光路调节层包括第一光路调节层和第二光路调节层,所述第一光路调节层和所述第二光路调节层在所述平坦化层内形成V型结构;所述第一光路调节层所在平面和所述第二光路调节层所在平面均与所述发光元件所在平面具有预设夹角;
所述第一光路调节层以及所述第二光路调节层的折射率大于所述平坦化层的折射率。
2.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述发光元件包括层叠设置的N型半导体层、量子阱发光层和P型半导体层;所述P型半导体层位于所述量子阱发光层与所述平坦化层之间。
3.根据权利要求2所述的发光二极管,其特征在于,所述P型半导体层的侧壁设置有反射结构。
4.根据权利要求3所述的发光二极管,其特征在于,所述反射结构包括分布布拉格反射层;
所述分布布拉格反射层包括交替层叠的第一折射率材料层和第二折射率材料层;所述第一折射率材料层的折射率大于所述第二折射率材料层的折射率。
5.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述平坦化层的侧壁设置有反射层。
6.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,还包括增透膜和增反膜;所述增透膜位于所述增反膜与所述发光元件之间;所述增反膜位于所述增透膜与所述平坦化层之间。
7.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-6任一项所述的发光二极管。
8.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求7所述的显示面板。
9.一种发光二极管的制备方法,其特征在于,包括:
制备形成发光元件;
在所述发光元件上形成第一初始平坦化层;
刻蚀所述第一初始平坦化层,形成V型凹槽;
在所述V型凹槽表面形成光路调节层;
形成第二初始平坦化层覆盖所述光路调节层;
在平坦化层上形成透镜层;
其中,所述平坦化层包括刻蚀后的所述第一初始平坦化层和所述第二初始平坦化层;所述光路调节层包括第一光路调节层和第二光路调节层,所述V型凹槽使所述第一光路调节层和所述第二光路调节层形成V型结构;所述第一光路调节层所在平面和所述第二光路调节层所在平面均与所述发光元件所在平面具有预设夹角。
10.根据权利要求9所述的发光二极管的制备方法,其特征在于,在所述发光元件上形成第一初始平坦化层之前还包括:
在所述发光元件上形成增透膜;
在所述增透膜上形成增反膜。
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