[发明专利]一种钙钛矿结晶调控策略及其光伏器件制备方法有效
申请号: | 202210051234.3 | 申请日: | 2022-01-18 |
公开(公告)号: | CN114068823B | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
发明(设计)人: | 李明光;陈润锋;唐森林;黄维 | 申请(专利权)人: | 南京邮电大学 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/46;H01L51/42 |
代理公司: | 芜湖思诚知识产权代理有限公司 34138 | 代理人: | 宦晓军 |
地址: | 210000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿 结晶 调控 策略 及其 器件 制备 方法 | ||
1.一种光伏器件制备方法,其特征在于,具体制备步骤为:在基底上制作第一电极层;在第一电极层上制作第一传输层;在第一传输层上制作光活性层,光活性层采用聚二甲基硅氧烷辅助退火工艺制备;在光活性层上依次制作第二传输层和阻挡层;在阻挡层上制作第二电极层;所述聚二甲基硅氧烷辅助退火工艺具体步骤包括:
(a)在空穴传输层上旋涂钙钛矿溶液,旋涂过程滴加反溶剂提高钙钛矿成膜质量;
(b)旋涂结束后将钙钛矿活性层覆盖在PDMS柔性膜上;
(c)将PDMS柔性膜覆盖的钙钛矿活性层放置在100℃热台,退火10 min。
2.根据权利要求1中所述的一种光伏器件制备方法,其特征在于:所述第一电极层为金属氧化物阳极层,所述第一传输层为空穴传输层,所述光活性层为钙钛矿活性层,所述第二传输层为电子传输层,所述阻挡层为空穴阻挡层,所述第二电极层为金属阴极层。
3.根据权利要求2中所述的一种光伏器件制备方法,其特征在于:所述基底的材料为透明玻璃;金属氧化物阳极层的材料为ITO或FTO;空穴传输层为p型有机半导体材料;钙钛矿活性层的材料为Cs0.05FA0.80MA0.15Pb(I0.85Br0.15)3或MAPbI3,电子传输层的材料为n型材料;空穴阻挡层的材料为LiF;金属阴极层的材料为Au、Ag、Cu中的一种或多种。
4.根据权利要求3中所述的一种光伏器件制备方法,其特征在于:所述p型有机半导体材料包括聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸中的一种或多种;所述n型材料包括[6,6]-苯基-C61-丁酸异甲酯、PC71BM、浴铜灵、C60中的一种或多种。
5.根据权利要求1~4中任一项所述一种光伏器件制备方法,其特征在于:所述PDMS柔性膜由二甲基硅氧烷单体与交联剂按10:1~5:1的体积比混合、静置后,在60~100℃条件下加热4-10小时获得,所述PDMS柔性膜厚度根据原料用量调节,PDMS柔性膜内含有钙钛矿生长调控溶液。
6.根据权利要求5中所述一种光伏器件制备方法,其特征在于:所述生长调控溶液为甲苯,氯苯、乙醚、乙酸乙酯、异丙醇中的一种或多种。
7.根据权利要求6中所述一种光伏器件制备方法,其特征在于:所述生长调控溶液中还含有能够改善钙钛矿晶体质量的有机溶质。
8.根据权利要求7中所述一种光伏器件制备方法,其特征在于:所述能够改善钙钛矿晶体质量的有机溶质包括甲基碘化胺和/或苯乙胺碘盐。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择