[发明专利]台阶高度标准样块、制备方法以及白光干涉仪校准方法在审
申请号: | 202210051175.X | 申请日: | 2022-01-17 |
公开(公告)号: | CN114543688A | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 张晓东;李锁印;韩志国;赵琳;许晓青;吴爱华 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
主分类号: | G01B11/06 | 分类号: | G01B11/06 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 张一 |
地址: | 050051 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 台阶 高度 标准 制备 方法 以及 白光 干涉仪 校准 | ||
本发明提供一种台阶高度标准样块、制备方法以及白光干涉仪校准方法。该台阶高度标准样块包括:底层和位于底层上的台阶层;台阶层的上表面具有凹槽,凹槽用于接收并反射目标白光干涉仪的光,且台阶层的材料为不透明材料。由于本发明提供的台阶高度标准样块中,通过具有凹槽的台阶层构成台阶结构,而不是通过两层材料构成台阶结构,且台阶层的材料为不透明材料,使得该台阶高度标准样块中的台阶结构在上下表面具有相同的折射率和消光系数,进而使得本发明提供的台阶高度标准样块不会影响照射到台阶结构上的光的强度,进而利用本发明提供的台阶高度标准样块对白光干涉仪校准,有利于降低白光干涉仪的校准误差,实现白光干涉仪的快速精准校准。
技术领域
本发明涉及微电子计量测试技术领域,尤其涉及一种台阶高度标准样块、制备方法以及白光干涉仪校准方法。
背景技术
集成电路、大规模集成电路和微电子机械系统(MEMS)器件上包含大量的台阶结构,这些结构对器件的整体性能有着直接的影响,因此,对台阶结构的准确测量与监测是保证器件质量的重要手段。目前,台阶高度测量仪器主要包括原子力显微镜、扫描隧道显微镜、纳米测量机、白光干涉仪、台阶测量仪、激光膜厚测试仪等。其中,在半导体生产线上,白光干涉仪使用频率较高,属于非接触式测量。
在使用白光干涉仪进行测量之前,通常需要利用台阶高度标准样块对白光干涉仪进行校准,然而,利用现有的台阶高度标准样块对白光干涉仪进行校准,存在校准结果不够准确的问题。
发明内容
本发明实施例提供了一种台阶高度标准样块、制备方法以及白光干涉仪校准方法,以解决现有的台阶高度标准样块对白光干涉仪进行校准的校准结果不够准确的问题。
第一方面,本发明实施例提供了一种台阶高度标准样块,包括:底层和位于所述底层上的台阶层;
所述台阶层的上表面具有凹槽,所述凹槽用于接收并反射目标白光干涉仪的光,且所述台阶层的材料为不透明材料。
在一种可能的实现方式中,所述台阶层的材料为GaAlAs,所述底层的材料为GaAs。
在一种可能的实现方式中,所述台阶层的材料为GaAs,所述底层的材料为InGaP。
在一种可能的实现方式中,所述凹槽未贯通所述台阶层的边缘,所述凹槽的长宽比为5:2。
第二方面,本发明实施例提供了一种台阶高度标准样块制备方法,包括:
制备底层;
在底层上生长初始台阶层;
在所述初始台阶层的上表面刻蚀一凹槽,制备得到台阶高度标准样块。
在一种可能的实现方式中,所述在所述初始台阶层的上表面刻蚀一凹槽,制备得到台阶高度标准样块,包括:
在所述初始台阶层的上表面旋涂光刻胶;
利用具有预设光刻胶图形的掩膜版对所述光刻胶进行曝光显影,获得第一样品;
在所述第一样品中未覆盖光刻胶的初始台阶层的上表面刻蚀一凹槽,获得第二样品;
去除所述第二样品上的光刻胶,制备得到台阶高度标准样块。
在一种可能的实现方式中,所述凹槽未贯通所述台阶层的边缘,所述凹槽的长宽比为5:2。
在一种可能的实现方式中,所述初始台阶层的材料为GaAlAs,所述底层的材料为GaAs。
在一种可能的实现方式中,所述初始台阶层的材料为GaAs,所述底层的材料为InGaP。
第三方面,本发明实施例提供了一种白光干涉仪校准方法,应用如上第一方面或第一方面的任一种可能的实现方式所述的台阶高度标准样块对白光干涉仪进行校准。
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