[发明专利]台阶高度标准样块、制备方法以及白光干涉仪校准方法在审
| 申请号： | 202210051175.X | 申请日： | 2022-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN114543688A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 张晓东;李锁印;韩志国;赵琳;许晓青;吴爱华 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | G01B11/06 | 分类号： | G01B11/06 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 张一 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 台阶 高度 标准 制备 方法 以及 白光 干涉仪 校准 | ||
1.一种台阶高度标准样块，其特征在于，包括：底层和位于所述底层上的台阶层；
所述台阶层的上表面具有凹槽，所述凹槽用于接收并反射目标白光干涉仪的光，且所述台阶层的材料为不透明材料。
2.根据权利要求1所述的台阶高度标准样块，其特征在于，所述台阶层的材料为GaAlAs，所述底层的材料为GaAs。
3.根据权利要求1所述的台阶高度标准样块，其特征在于，所述台阶层的材料为GaAs，所述底层的材料为InGaP。
4.根据权利要求1-3任一项所述的台阶高度标准样块，其特征在于，所述凹槽未贯通所述台阶层的边缘，所述凹槽的长宽比为5:2。
5.一种台阶高度标准样块制备方法，其特征在于，包括：
制备底层；
在底层上生长初始台阶层；
在所述初始台阶层的上表面刻蚀一凹槽，制备得到台阶高度标准样块。
6.根据权利要求5所述的台阶高度标准样块制备方法，其特征在于，所述在所述初始台阶层的上表面刻蚀一凹槽，制备得到台阶高度标准样块，包括：
在所述初始台阶层的上表面旋涂光刻胶；
利用具有预设光刻胶图形的掩膜版对所述光刻胶进行曝光显影，获得第一样品；
在所述第一样品中未覆盖光刻胶的初始台阶层的上表面刻蚀一凹槽，获得第二样品；
去除所述第二样品上的光刻胶，制备得到台阶高度标准样块。
7.根据权利要求5或6所述的台阶高度标准样块制备方法，其特征在于，所述凹槽未贯通所述初始台阶层的边缘，所述凹槽的长宽比为5:2。
8.根据权利要求5或6所述的台阶高度标准样块制备方法，其特征在于，所述初始台阶层的材料为GaAlAs，所述底层的材料为GaAs。
9.根据权利要求5或6所述的台阶高度标准样块制备方法，其特征在于，所述初始台阶层的材料为GaAs，所述底层的材料为InGaP。
10.一种白光干涉仪校准方法，其特征在于，应用如权利要求1-4任一项所述的台阶高度标准样块对白光干涉仪进行校准。
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