[发明专利]一种判别电平自适应的高精度输入信号接收电路有效

专利信息
申请号: 202210041449.7 申请日: 2022-01-14
公开(公告)号: CN114384960B 公开(公告)日: 2023-08-04
发明(设计)人: 许媛;何宁业;申福伟;宁仁霞;汪礼;陈珍海;鲍婕 申请(专利权)人: 黄山学院
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 苏州国诚专利代理有限公司 32293 代理人: 韩凤
地址: 245041 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 判别 电平 自适应 高精度 输入 信号 接收 电路
【权利要求书】:

1.一种判别电平自适应的高精度输入信号接收电路,其特征是,包括偏置和滤波模块(101)、判别电平自适应产生模块(102)、比较器模块(103)和输出整形模块(104);所述偏置和滤波模块(101)的输入端连接已通过ESD保护的输入信号,经过偏置和滤波模块(101)滤波的输出信号Vin1连接比较器模块(103)的第一信号输入端,偏置和滤波模块(101)还向比较器模块(103)提供两个偏置电压Vb1和Vb3;比较器模块(103)的输出信号Vout1连接输出整形模块(104)的输入端;输出整形模块(104)的数据输出端Vout为整体电路的数据输出端,输出整形模块(104)同时还向判别电平自适应产生模块(102)输出3路控制信号Vc1、Vc2、Vc3,其中Vc1和Vc2互为反相信号,Vc1和Vc3互为反相信号;所述判别电平自适应产生模块(102)根据控制信号Vc1、Vc2、Vc3产生判别电平Vr,连接到比较器模块(103)的第二信号输入端,判别电平自适应产生模块(102)还向偏置和滤波模块(101)提供两个偏置电压Vb4和Vb2;判别电平Vr由输出整形模块(104)所反馈的控制信号Vc1、Vc2、Vc3的电平决定,通过控制信号Vc1、Vc2、Vc3反馈产生了随信号Vin1波动的判别电平Vr,在判别的过程中提高了电路的抗干扰噪声容限;

所述比较器模块(103)包括:PMOS管M31、PMOS管M32、PMOS管M36、PMOS管M37、NMOS管M33、NMOS管M34、NMOS管M35、NMOS管M38、NMOS管M39、NMOS管M310、NMOS管M311、NMOS管M312;其中,PMOS管M31的源极、PMOS管M32的源极、PMOS管M36的源极和PMOS管M37的源极同时连接电源电压VDD,PMOS管M31和PMOS管M32的栅极相连,并同时连接到PMOS管M31的漏极、NMOS管M33的漏极和NMOS管M310的漏极,NMOS管M310的栅极连接偏置电压Vb3;NMOS管M33的源极和NMOS管M34的源极相连,并且连接到NMOS管M312的漏极和NMOS管M35的漏极,NMOS管M33的栅极作为比较器模块(103)第一信号输入端,连接偏置和滤波模块(101)的输出信号Vin1;NMOS管M34的栅极作为比较器模块(103)第二信号输入端,连接判别电平自适应产生模块(102)输出的判别电平Vr,NMOS管M35的栅极连接偏置电压Vb3;PMOS管M36和PMOS管M37的栅极相连,同时连接NMOS管M34的漏极和PMOS管M36的漏极;NMOS管M38和NMOS管M39的栅极相连,同时连接NMOS管M38的漏极和PMOS管M32的漏极;PMOS管M37的漏极和NMOS管M39的漏极相连,并作为比较器模块(103)的输出节点,输出信号Vout1;NMOS管M311的栅极、NMOS管M311的漏极和NMOS管M312的栅极相连,并连接偏置电压Vb1;NMOS管M310的源极、NMOS管M35的源极、NMOS管M38的源极、NMOS管M39的源极、NMOS管M311的源极和NMOS管M312的源极同时连接到地电压GND;

所述比较器模块(103)中,PMOS管M31、PMOS管M32、PMOS管M36、PMOS管M37、NMOS管M33、NMOS管M34、NMOS管M35、NMOS管M38和NMOS管M39构成一个两级推挽输出结构的运算放大器,以最大程度提供宽摆幅输出;NMOS管M311和NMOS管M312构成镜像电流源。

2.根据权利要求1所述的判别电平自适应的高精度输入信号接收电路,其特征是,当信号Vin1为高电平时,判别电平Vr为较低电平,当信号Vin1为低电平时,判别电平Vr为较高电平。

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