[发明专利]一种晶圆键合设备以及晶圆键合方法在审
申请号: | 202210026823.6 | 申请日: | 2022-01-11 |
公开(公告)号: | CN116469785A | 公开(公告)日: | 2023-07-21 |
发明(设计)人: | 张志伟 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 张李静;张颖玲 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆键合 设备 以及 方法 | ||
1.一种晶圆键合设备,其特征在于,包括:
第一固定装置,用于固定第一晶圆;所述第一晶圆上设置有第一对准标记;
第二固定装置,用于固定第二晶圆;所述第二晶圆上设置有第二对准标记;所述第二固定装置与所述第一固定装置相对设置;
反射装置,位于所述第一固定装置和所述第二固定装置之间;
标记读取器,利用反射装置,读取所述第一对准标记和所述第二对准标记的位置信息,以对固定在所述第一固定装置上的所述第一晶圆和固定在所述第二固定装置上的所述第二晶圆进行对准;
加热装置,用于对所述第一晶圆进行加热,使所述第一晶圆发生热膨胀,以使所述第一对准标记处于所述标记读取器视野的中心位置;或者,
对所述第二晶圆进行加热,使所述第二晶圆发生热膨胀,以使所述第二对准标记处于所述标记读取器视野的中心位置。
2.根据权利要求1所述的晶圆键合设备,其特征在于,
所述第一对准标记和所述第二对准标记的个数均大于或等于2。
3.根据权利要求1所述的晶圆键合设备,其特征在于,
所述标记读取器,利用反射装置,读取所述第一对准标记和所述第二对准标记的位置信息;包括:
检测光入射至所述第一对准标记和所述第二对准标记,所述第一对准标记和所述第二对准标记对检测光进行反射,反射后的检测光经反射装置的反射后进入所述标记读取器,以读取所述第一对准标记和所述第二对准标记的位置信息。
4.根据权利要求3所述的晶圆键合设备,其特征在于,
所述反射装置包括第一反射面和第二反射面;
通过所述第一对准标记反射后的检测光经所述第一反射面反射后进入所述标记读取器;
通过所述第二对准标记反射后的检测光经所述第二反射面反射后进入所述标记读取器。
5.根据权利要求4所述的晶圆键合设备,其特征在于,
所述反射装置的形状呈Σ状。
6.根据权利要求4所述的晶圆键合设备,其特征在于,
所述第一反射面与所述第一晶圆的平面的夹角为45°;
所述第二反射面与所述第二晶圆的平面的夹角为45°。
7.根据权利要求4所述的晶圆键合设备,其特征在于,
所述第一反射面和所述第二反射面上形成有反射层。
8.根据权利要求1所述的晶圆键合设备,其特征在于,还包括:
计算装置,用于对所述标记读取器读取到的所述第一对准标记和所述第二对准标记的位置信息与所述标记读取器视野的中心位置的偏移量进行计算,根据计算结果,对固定在所述第一固定装置上的所述第一晶圆和固定在所述第二固定装置上的所述第二晶圆进行对准。
9.一种晶圆键合方法,其特征在于,应用如权利要求1-8中任一所述的设备,所述方法包括:
将第一晶圆固定在第一固定装置上;所述第一晶圆上设置有第一对准标记;
将第二晶圆固定在第二固定装置上;所述第二晶圆上设置有第二对准标记;所述第二固定装置与所述第一固定装置相对设置;
将反射装置设置在所述第一固定装置和所述第二固定装置之间;
标记读取器利用反射装置,读取所述第一对准标记和所述第二对准标记的位置信息;
利用加热装置对所述第一晶圆进行加热,使所述第一晶圆发生热膨胀,以使所述第一对准标记处于所述标记读取器视野的中心位置;或者,
对所述第二晶圆进行加热,使所述第二晶圆发生热膨胀,以使所述第二对准标记处于所述标记读取器视野的中心位置。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,
所述第一对准标记和所述第二对准标记的个数均大于或等于2。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造