[发明专利]一种用于晶圆的胶刻蚀方法

说明书

本发明公开了一种用于晶圆的胶刻蚀方法，涉及刻蚀技术领域。胶刻蚀方法包括：将所述晶圆置于预设腔体中；将所述预设腔体的温度调节至预设温度，并向所述预设腔体中充入惰性气体；采用第一预设射频波轰击所述晶圆，同时采用第二预设射频波与所述第一预设射频波配合形成向下的牵引，以去除所述遮挡层。通过本发明，能够提升刻蚀的均匀性。

技术领域

本发明涉及刻蚀技术领域，特别是涉及一种用于晶圆的胶刻蚀方法。

背景技术

现有的半导体刻蚀方法都是采用高微波轰击来达到去胶的目的，这样的刻胶方法无法保证整片晶圆上胶刻蚀的均匀性，另外，由于高微波的各向同性的特点，导致无法保证有图像条件下，胶刻蚀后的图像形貌，使得侧面刻蚀比较严重，对图形边缘的Micro Lens损害严重，同时也直接影响其成品后的性能。

因此，如何改进刻胶方法以提升刻蚀的均匀性，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。

发明内容

本发明提供了一种用于晶圆的胶刻蚀方法，能够提升刻蚀的均匀性。

本发明提供了如下方案：

一种用于晶圆的胶刻蚀方法，所述晶圆上从下至上依次覆盖胶刻蚀层和遮挡层，所述胶刻蚀方法包括：

将所述晶圆置于预设腔体中；

将所述预设腔体的温度调节至预设温度，并向所述预设腔体中充入惰性气体；

采用第一预设射频波轰击所述晶圆，同时采用第二预设射频波与所述第一预设射频波配合形成向下的牵引，以去除所述遮挡层。

可选地，所述第一预设射频波为15-50MHz的射频波，所述第二预设射频波为0.5-10MHz的射频波。

可选地，所述第一预设射频波为27MHz的射频波，所述第二预设射频波为2MHz的射频波。

可选地，所述向所述预设腔体中充入惰性气体包括：

将所述惰性气体吹向所述晶圆的第一表面；

所述采用第一预设射频波轰击所述晶圆，同时采用第二预设射频波与所述第一预设射频波配合形成向下的牵引层包括：

采用所述第一预设射频波轰击所述晶圆的第二表面，同时采用所述第二预设射频波与所述第一预设射频波配合形成自所述第二表面向下的牵引；

所述第一表面和所述第二表面相背设置。

可选地，所述惰性气体包括氦气。

可选地，所述预设温度为小于50℃的任意一值。

可选地，所述预设温度为30℃。

根据本发明提供的具体实施例，本发明公开了以下技术效果：

本发明提供的胶刻蚀方法采用所述第一预设射频波和所述第一预设射频波代替现有技术中的高微波进行胶刻蚀，在所述第一预设射频波进行轰击的同时，所述第二预设射频波与所述第一预设射频波配合形成向下的牵引，使胶刻蚀方法工程中，射频波向下轰击，从而有效地防止侧面刻蚀现象的出现，并且保证了图像边缘的Micro Lens不受损害。

进一步地，通过温度控制和氦气两者共同作用，可以使得所述晶圆的温度分布更加均匀，比传统的仅靠加热Chuck的设备，胶的刻蚀均匀性得到明显的提高，在一些实施例中均匀性从9％优化到3％。

当然，本发明的实施例并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。

附图说明