[发明专利]一种用于晶圆的胶刻蚀方法在审
| 申请号： | 202210026734.1 | 申请日： | 2022-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN114496777A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 王兆丰;王世宽;宋永辉 | 申请（专利权）人： | 无锡尚积半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 苏州京昀知识产权代理事务所(普通合伙) 32570 | 代理人： | 段晓玲 |
| 地址： | 214135 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 刻蚀 方法 | ||
1.一种用于晶圆的胶刻蚀方法，所述晶圆上从下至上依次覆盖胶刻蚀层和遮挡层，其特征在于，所述胶刻蚀方法包括：
将所述晶圆置于预设腔体中；
将所述预设腔体的温度调节至预设温度，并向所述预设腔体中充入惰性气体；
采用第一预设射频波轰击所述晶圆，同时采用第二预设射频波与所述第一预设射频波配合形成向下的牵引，以去除所述遮挡层。
2.根据权利要求1所述的胶刻蚀方法，其特征在于，所述第一预设射频波为15-50MHz的射频波，所述第二预设射频波为0.5-10MHz的射频波。
3.根据权利要求2所述的胶刻蚀方法，其特征在于，所述第一预设射频波为27MHz的射频波，所述第二预设射频波为2MHz的射频波。
4.根据权利要求1所述的胶刻蚀方法，其特征在于，所述向所述预设腔体中充入惰性气体包括：
将所述惰性气体吹向所述晶圆的第一表面；
所述采用第一预设射频波轰击所述晶圆，同时采用第二预设射频波与所述第一预设射频波配合形成向下的牵引包括：
采用所述第一预设射频波轰击所述晶圆的第二表面，同时采用所述第二预设射频波与所述第一预设射频波配合形成自所述第二表面向下的牵引；
所述第一表面和所述第二表面相背设置。
5.根据权利要求1所述的胶刻蚀方法，其特征在于，所述惰性气体包括氦气。
6.根据权利要求1-5任一项所述的胶刻蚀方法，其特征在于，所述预设温度为小于50℃的任意一值。
7.根据权利要求6所述的胶刻蚀方法，其特征在于，所述预设温度为30℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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