[发明专利]一种蓝宝石衬底制作方法

权利要求书

1.一种蓝宝石衬底制作方法，其特征在于，所述方法包括：

获取线切后清洗完成的晶片，并将所述线切后清洗完成的晶片进行退火前清洗，再对晶片进行退火处理；

根据晶片规格数据，对退火处理后的晶片进行线切后分规处理，并对分规处理后的晶片进行筛选，得到筛选后的晶片，所述筛选后的晶片包括第一规格晶片；

对所述第一规格晶片进行倒角，通过倒角后的晶片获得蓝宝石衬底。

2.根据权利要求1所述的蓝宝石衬底制作方法，其特征在于，在根据晶片规格数据，对退火处理后的晶片进行线切后分规处理的步骤中：

晶片规格数据包括Bow值、Warp值、厚度值以及TTV值。

3.根据权利要求2所述的蓝宝石衬底制作方法，其特征在于，所述第一规格晶片的晶片规格数据为：

|Bow|≤5μm，Warp≤18μm，700μm≤厚度≤725μm，TTV≤15μm。

4.根据权利要求2所述的蓝宝石衬底制作方法，其特征在于，所述筛选后的晶片还包括第二规格晶片，所述第二规格晶片的晶片规格数据为：

|Bow|≤5μm，18μm＜Warp≤50μm，690μm≤厚度≤730μm，TTV≤25μm；

或者，5μm |Bow|≤15μm，Warp≤50μm，690μm≤厚度≤730μm，TTV≤25μm。

5.根据权利要求1所述的蓝宝石衬底制作方法，其特征在于，在将所述线切后清洗完成的晶片进行退火前清洗的步骤中：

所述退火前清洗的清洗温度为：60-130℃；

清洗时间为：6-10min。

6.根据权利要求1所述的蓝宝石衬底制作方法，其特征在于，在对晶片进行退火处理的步骤中：

所述退火处理的温度为：1550-1650℃；

时间为：720-900 min。

7.根据权利要求4所述的蓝宝石衬底制作方法，其特征在于，在对分规处理后的晶片进行筛选的步骤之后还包括：

对所述第二规格晶片进行双面研磨，对双面研磨后的晶片进行研磨后清洗；

对研磨后清洗完成的晶片进行退火前清洗，而后对晶片进行退火处理；

将退火处理后的晶片进行分规，对分规后的晶片进行倒角，通过倒角后的晶片获得蓝宝石衬底。