[发明专利]圆筒型的溅射靶、烧结体、成形体及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202210015348.2 申请日: 2016-03-17
公开(公告)号: CN114481050A 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 山口洋平 申请(专利权)人: JX金属株式会社
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/08
代理公司: 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 代理人: 许伟群;朴仁俊
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 圆筒 溅射 烧结 成形 及其 制造 方法
【说明书】:

本发明的目的在于提供应变小、强度高的圆筒型溅射靶及圆筒型成形体、圆筒型溅射靶、圆筒型烧结体、圆筒型成形体及其制造方法。或者,提供均质性高的圆筒型溅射靶、圆筒型烧结体、圆筒型成形体及其制造方法。本发明的一个实施方式的溅射靶具有圆筒型烧结体,圆筒型烧结体的相对密度为99.7%以上且99.9%以下。另外,圆筒型溅射靶具有隔着规定的间隔而相邻的多个圆筒型烧结体,相邻的多个圆筒型烧结体之间的相对密度之差可以为0.1%以下。

本申请是申请日为2016年03月17日,申请号为201610154405.X,发明名称为“圆筒型的溅射靶、烧结体、成形体及其制造方法”的中国专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及圆筒型溅射靶、圆筒型烧结体、圆筒型成形体及它们的制造方法。尤其是,涉及构成圆筒型溅射靶的圆筒型烧结体的密度。

背景技术

近年来,平板显示器(FPD:Flat Panel Display)的制造技术、太阳能电池的制造技术快速地发展,大型的平板电视、太阳能电池的市场日益扩大。另外,随着这些市场的发展,为了降低产品的制造成本,正在推行玻璃基板的大型化。现今,正进行着用于所谓第8代的2200mm×2400mm尺寸的装置的开发。尤其是,在用于在大型的玻璃基板上形成金属薄膜或金属氧化物薄膜的靶装置中,逐渐使用圆筒型(也称为旋转型或回转型)溅射靶来取代以往的平板型溅射靶。与平板型溅射靶相比,圆筒型溅射靶具有如下优点:靶的使用效率高、腐蚀发生得少、因堆积物的剥离引起的颗粒发生得少。

如上所述,用于在大型的玻璃基板上形成薄膜的溅射装置所用的圆筒型溅射靶需要3000mm以上的长度。由于将这种长度的圆筒型溅射靶制造成一体并进行磨削加工要耗费制造成本,因此是不实用的。因此,通常将几十mm以上且几百mm以下的多个圆筒型烧结体相连接来构成圆筒型溅射靶。

在这里,不局限于如上所述的圆筒型的烧结体,但为了提高机械性强度以及提高使用了上述烧结体的薄膜的膜质,普通的烧结体被要求具有高密度。例如,专利文献1中公开了为了实现烧结体的高密度化,而尽可能提高形成烧结体之前的成形体的密度的技术。另外,如上所述,在连接了多个烧结体的溅射靶中,相邻的烧结体之间的密度之差(即烧结体密度的“固体间偏差”)会对溅射特性产生影响。

(现有技术文献)

(专利文献)

专利文献1:日本特开2014-040348号公报

然而,圆筒型烧结体与平板型烧结体相比,烧结时的收缩行为复杂,若收缩大则容易发生应变等。另外,还与平板型烧结体同样地,为了减少烧结时的收缩量,当制造高密度的成型体时,难以去除包含于内部的粘结剂等,无法收缩成所需的形状。

发明内容

本发明鉴于如上所述的问题而提出,其目的在于提供应变小、强度高的圆筒型溅射靶、圆筒型烧结体、圆筒型成形体及它们的制造方法。或者,本发明的目的在于提供均质性高的圆筒型溅射靶、圆筒型烧结体、圆筒型成形体及它们的制造方法。

本发明的一个实施方式的圆筒型溅射靶具有圆筒型烧结体,并且圆筒型烧结体的相对密度为99.7%以上且99.9%以下。

本发明的一个实施方式的用于圆筒型溅射靶的圆筒型烧结体的相对密度为99.7%以上且99.9%以下。

另外,在另一个实施方式中,圆筒型溅射靶可以为具有经由规定的间隔而相邻的多个圆筒型烧结体,相邻的多个圆筒型烧结体之间的相对密度之差为0.1%以下。

用于形成本发明的一个实施方式的圆筒型溅射靶中所使用的圆筒型烧结体的圆筒型成形体的相对密度为54.5%以上且58.0%以下。

另外,在另一个实施方式中,圆筒型成形体还可以利用100MPa以上且200MPa以下的冷等静压加压来形成。

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