[发明专利]一种背沟道刻蚀结构氧化物薄膜晶体管的制备方法

说明书

本发明涉及一种背沟道刻蚀结构氧化物薄膜晶体管的制备方法。所述制备方法包括：在基板上形成栅电极层；在栅电极层上制备栅绝缘层；在栅绝缘层上制备沟道层；在沟道层上附加耐刻蚀沟道层，形成双有源层；对双有源层进行图案化处理，形成图案化后的双有源层；在双有源层上制备源漏电极并进行图案化处理，形成图案化后的源漏电极层；在源漏电极层上制备钝化层并进行图案化和打孔处理，形成打孔后的样片；对打孔后的样片进行退火处理，形成BCE结构TFT成品。本发明方法适用于TFT制程，能够防止BCE结构TFT的金属电极刻蚀对有源层的损伤导致的器件关断和性能退化，同时制程简单、节省成本并且便于工业化应用。

技术领域

本发明涉及面板显示技术领域，特别是涉及一种背沟道刻蚀结构氧化物薄膜晶体管的制备方法。

背景技术

TFT(ThinFilm Transistor，薄膜晶体管)液晶显示器在现代生活中有着广泛的应用，如手机显示屏、电脑的显示器、MP3、MP4显示屏等等。目前，根据有源层上有无刻蚀阻挡层，TFT制程可分为ESL(Etch Stop Layer，刻蚀阻挡层)结构和BCE(Back Channel Etch，背沟道刻蚀)结构。BCE结构TFT制程因为寄生电容低、信号失真低、节约成本等优点备受重视，但是这种结构在制备有源层后不附加刻蚀阻挡层，因此后续的电极刻蚀液会直接接触到有源层，可能导致器件关断和性能退化。

到目前为止，解决湿法刻蚀对BCE结构有源层损伤的技术主要是电极刻蚀液的优化。在SD电极(Source-Drain，源极-漏极)的复合电极层中，对接触有源层的钼等金属材料使用有源层损伤程度低的刻蚀液，如氨水、双氧水的水溶液，以此来降低电极刻蚀对有源层的损伤。

优化电极刻蚀液可以一定程度上改善BCE结构的有源层损伤，但是这种技术面临着如下问题：第一，氨水、双氧水刻蚀液无法刻蚀干净电极层，在有源层上残留金属电荷，产生背沟道导电性；第二，氨水、双氧水刻蚀液接触有源层后，会对有源层产生改性，使电学性能退化；第三，这种技术需要对电极的三层金属使用两类刻蚀液进行三次刻蚀，制程繁琐，成本较高。

发明内容

本发明的目的是提供一种背沟道刻蚀结构氧化物薄膜晶体管的制备方法，以防止BCE结构TFT的金属电极刻蚀对有源层的损伤，避免器件无法导通或者电学性能退化，同时简化制程、节约成本。

为实现上述目的，本发明提供了如下方案：

一种背沟道刻蚀结构氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括：

准备基板；

在所述基板上形成图案化后的栅电极层；

在所述栅电极层上制备栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上制备沟道层；

在所述沟道层上附加耐刻蚀沟道层，形成双有源层；

对所述双有源层进行图案化处理，形成图案化后的双有源层；

在所述双有源层上制备源漏电极并进行图案化处理，形成图案化后的源漏电极层；

在所述源漏电极层上制备钝化层并进行图案化和打孔处理，形成打孔后的样片；

对所述打孔后的样片进行退火处理，形成背沟道刻蚀结构氧化物薄膜晶体管成品。

可选地，所述在所述基板上形成图案化后的栅电极层，具体包括：

在所述基板上制备栅电极；

对所述栅电极涂布光刻胶，再使用掩膜版对光刻胶曝光，再对曝光后的光刻胶显影，再对显影后的光刻胶图案后烘，再用金属刻蚀液或干刻对所述栅电极进行刻蚀，再去除光刻胶，形成所述图案化后的栅电极层。

可选地，所述在所述栅绝缘层上制备沟道层，具体包括：