[发明专利]显示基板和显示装置在审
申请号: | 202210005671.1 | 申请日: | 2022-01-05 |
公开(公告)号: | CN114361186A | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 龙祎璇;杨慧娟;尚庭华;刘彪;牛佐吉;陈家兴;张毅 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 胡影 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 显示装置 | ||
本发明提供一种显示基板和显示装置,涉及显示技术领域,用于降低像素电路的功耗。所述显示基板包括:设置于基底上的多个子像素以及设置于基底上的第一扫描线和数据线;子像素中数据写入晶体管的栅极与对应的第一扫描线耦接,数据写入晶体管的第一极与对应的数据线耦接,数据写入晶体管的第二极与驱动晶体管的第一极耦接;驱动晶体管的栅极与第一导电连接部的第一端耦接;第一导电连接部的第二端分别与补偿晶体管的第二极和补偿图形耦接;补偿晶体管的第二极在基底上的正投影,与对应的第一扫描线在基底上的正投影至少部分交叠;补偿图形在基底上的正投影,与对应的第一扫描线在基底上的正投影至少部分交叠。本发明提供的显示基板用显示。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板和显示装置。
背景技术
低温多晶硅(英文:Low Temperature Poly-Silicon,简称:LTPS)像素电路漏电流较大,不利于节点电压的保持。在像素电路中加入氧化物晶体管(Oxide TFT),将Oxide TFT与LTPS TFT相结合,形成低温多晶氧化物(英文:Low Temperature PolycrystallineOxide,简称:LTPO)像素电路。LTPO像素电路能够改善漏电问题,有利于提升像素电路工作的稳定性。但是LTPO像素电路仍然存在功耗较高的问题需要解决。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示基板和显示装置,用于降低LTPO像素电路的功耗。
为了实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
本发明的第一方面提供一种显示基板,包括:基底,设置于所述基底上的多个子像素,以及设置于所述基底上的多条第一扫描线和多条数据线;所述子像素包括:数据写入晶体管,驱动晶体管,补偿晶体管,第一导电连接部和补偿图形;
所述数据写入晶体管的栅极与对应的所述第一扫描线耦接,所述数据写入晶体管的第一极与对应的所述数据线耦接,所述数据写入晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极耦接;
所述驱动晶体管的栅极与所述第一导电连接部的第一端耦接;
所述第一导电连接部的第二端分别与所述补偿晶体管的第二极和所述补偿图形耦接;
所述补偿晶体管的第二极在所述基底上的正投影,与对应的所述第一扫描线在所述基底上的正投影至少部分交叠;所述补偿图形在所述基底上的正投影,与对应的所述第一扫描线在所述基底上的正投影至少部分交叠。
可选的,所述补偿晶体管包括第二有源层,所述第二有源层包括沿第一方向延伸的至少部分;
所述第二有源层的第二端作为所述补偿晶体管的第二极,所述第二有源层的第二端在所述基底上的正投影,与所述补偿图形在所述基底上的正投影沿第二方向排列,所述第二方向与所述第一方向相交。
可选的,所述第一导电连接部的第二端包括沿所述第二方向延伸的至少部分;
所述第一导电连接部的第二端在所述基底上的正投影,分别与所述第二有源层的第二端在所述基底上的正投影,以及所述补偿图形在所述基底上的正投影至少部分交叠。
可选的,所述显示基板还包括多条第二扫描线,所述补偿晶体管的栅极与对应的所述第二扫描线耦接;所述第一导电连接部在所述基底上的正投影,与所述第二扫描线在所述基底上的正投影至少部分交叠。
可选的,所述第二扫描线包括层叠设置的第一扫描层和第二扫描层,所述第一扫描层的至少部分位于所述基底和所述第二扫描层之间;
所述第二扫描层包括扫描主体部和扫描突出部,所述扫描主体部沿第二方向延伸,所述扫描突出部在所述基底上的正投影的至少部分,位于所述扫描主体部在所述基底上的正投影和所述补偿图形在所述基底上的正投影之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的