[发明专利]镧系及类镧系过渡金属的络合物在审
| 申请号: | 202180078023.2 | 申请日: | 2021-11-18 |
| 公开(公告)号: | CN116583621A | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
| 发明(设计)人: | C·维特泽尔;H·黑尔;M·克龙皮克;L·利曹;D·伯格;房铭;S·V·伊瓦诺夫 | 申请(专利权)人: | 默克专利股份有限公司;沃萨姆材料美国有限责任公司 |
| 主分类号: | C23C16/04 | 分类号: | C23C16/04 |
| 代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 姜煌 |
| 地址: | 德国达*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 类镧系 过渡 金属 络合物 | ||
1.一种式(环戊二烯基配体)2-M-(脒化物配体)的前体,其中M为La、Sc、Y、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu中的一者。
2.一种式(环戊二烯基配体)-M-(脒化物配体)2的前体,其中M为La、Sc、Y、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu中的一者。
3.根据权利要求1或2的前体,其中M为La。
4.根据权利要求1至3中任一项的前体,其中各环戊二烯基配体独立地选自显示于表1或表2中的环戊二烯基配体:
表1
表2。
5.根据权利要求1至3中任一项的前体,其中该脒化物配体选自显示于表3中的脒化物配体:
表3。
6.一种前体,其具有式I:
式I
其中
i.M为La、Sc、Y、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu中的一者;
ii.R1、R2、R3、R4、R5、R6及R7各独立地选自H、D、未经取代的直链C1-C6烷基、经卤素取代的直链C1-C6烷基、经氨基取代的直链C1-C6烷基、未经取代的支链C3-C6烷基、经卤素取代的支链C3-C6烷基、经氨基取代的支链C3-C6烷基及-Si(CH3)3;
iii.R为直链或支链C1-C6亚烷基;
iv.Rc为H、D或未经取代的直链C1-C3烷基;及
v.n=1或2。
7.一种前体,其具有式II:
式II
其中
i.M为La、Sc、Y、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu中的一者;
ii.R1、R2、R3、R4、R5、R6及R7各独立地选自H、D、未经取代的直链C1-C6烷基、经卤素取代的直链C1-C6烷基、经氨基取代的直链C1-C6烷基、未经取代的支链C3-C6烷基、经卤素取代的支链C3-C6烷基、经氨基取代的支链C3-C6烷基及-Si(CH3)3;
iii.R为直链或支链C1-C6亚烷基;
iv.Rc及Rd各独立地选自H、D及未经取代的直链C1-C3烷基;及
v.n=1或2。
8.根据权利要求6或7的前体,其中M为La。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





