[发明专利]基板处理设备

权利要求书

1.一种基板处理设备，包括：

处理腔体，提供用于处理基板的反应空间；

基板支撑单元，支撑所述基板；

第一电极，安装在所述处理腔体中，所述第一电极与所述基板相对且包括朝所述基板突出的多个突出电极；以及

第二电极，设置在所述第一电极之下，所述第二电极包括多个开口，所述多个突出电极插设于所述多个开口中，

其中，所述多个突出电极中的设置在第一区域中的第一突出电极和设置在位于所述第一区域之外的第二区域中的第二突出电极突出不同的长度。

2.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述第一突出电极朝所述基板突出的长度长于所述第二突出电极朝所述基板突出的长度。

3.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述第二突出电极朝所述基板突出的长度长于所述第一突出电极朝所述基板突出的长度。

4.如权利要求1所述的基板处理设备，其中：

所述第一突出电极包括喷射第一气体的第一喷射孔，

所述第二突出电极包括喷射第二气体的第二喷射孔，并且

所述第一喷射孔的面积与所述第二喷射孔的面积不同。

5.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，插设于所述开口中的所述第一突出电极和所述第二突出电极中的一者与所述第二电极的底面位于同一平面中。

6.如权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述第二电极的位于所述第一区域中的一部分和所述第二电极的位于所述第二区域中的另一部分朝所述基板突出不同的长度。

7.一种基板处理设备，包括：

处理腔体，提供用于处理基板的反应空间；

基板支撑单元，支撑所述基板；

第一电极，安装在所述处理腔体中，所述第一电极与所述基板相对且包括朝所述基板突出的多个突出电极；以及

第二电极，设置在所述第一电极之下，所述第二电极包括多个开口，所述多个突出电极插设于所述多个开孔中，

其中，所述第二电极的位于第一区域中的一部分和所述第二电极的位于所述第一区域之外的第二区域中的另一部分以不同的长度与所述基板支撑单元间隔开。

8.如权利要求7所述的基板处理设备，其中，所述第二电极的位于所述第一区域的所述一部分与所述基板支撑单元间隔开的距离长于所述第二电极的位于所述第二区域的所述另一部分与所述基板支撑单元间隔开的距离。

9.如权利要求7所述的基板处理设备，其中，所述第二电极的位于所述第二区域的所述另一部分与所述基板支撑单元间隔开的距离长于所述第二电极的位于所述第一区域的部分与所述基板支撑单元间隔开的距离。

10.如权利要求7所述的基板处理设备，其中：

所述多个突出电极中的设置在所述第一区域中的第一突出电极包括喷射第一气体的第一喷射孔，

所述多个突出电极中的设置在所述第二区域中的第二突出电极包括喷射第二气体的第二喷射孔，并且

所述第一喷射孔的面积与所述第二喷射孔的面积不同。

11.如权利要求4或10所述的基板处理设备，其中，所述第一喷射孔的面积被形成为大于所述第二喷射孔的面积。

12.如权利要求4或10所述的基板处理设备，其中，所述第二喷射孔的面积被形成为大于所述第一喷射孔的面积。

13.如权利要求4或10所述的基板处理设备，其中，所述第一喷射孔的面积和所述第二喷射孔的面积为水平横截面积。

14.如权利要求10所述的基板处理设备，其中，插设于所述开口中的所述第一突出电极和所述第二突出电极中的至少一者与所述第二电极的底面位于同一平面中。