[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置

说明书

一个示例性实施方式提供一种基板处理方法。基板处理方法包含以下工序：在腔室内准备具有含硅膜的基板的工序；和将包含选自Csubgt;4/subgt;Hsubgt;2/subgt;Fsubgt;6/subgt;气体、Csubgt;4/subgt;Hsubgt;2/subgt;Fsubgt;8/subgt;气体、Csubgt;3/subgt;Hsubgt;2/subgt;Fsubgt;4/subgt;气体及Csubgt;3/subgt;Hsubgt;2/subgt;Fsubgt;6/subgt;气体中的至少1种气体、HF气体以及卤化磷气体的处理气体导入至腔室内生成等离子体，对基板的含硅膜进行蚀刻的工序。

技术领域

本公开的示例性实施方式涉及基板处理方法以及基板处理装置。

背景技术

例如专利文献1中公开了对氧化硅膜进行蚀刻的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-122774号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本公开提供使蚀刻速率提高的技术。

用于解决技术问题的手段

本公开的一个示例性实施方式提供一种基板处理方法，其包含以下工序：

在腔室内准备具有含硅膜的基板的工序；和

将包含选自C₄H₂F₆气体、C₄H₂F₈气体、C₃H₂F₄气体及C₃H₂F₆气体中的至少1种气体、HF气体以及卤化磷气体的处理气体导入至上述腔室内生成等离子体，对上述基板的含硅膜进行蚀刻的工序。

发明效果

根据本公开的一个示例性实施方式，可以提供使蚀刻速率提高的技术。

附图说明

图1为示意地表示基板处理装置1的图。

图2为表示高频电HF以及电偏压之一例的时序图。

图3为示意地表示基板处理系统PS的图。

图4为表示基板W的截面结构之一例的图。

图5为表示本处理方法的流程图。

图6为表示蚀刻后的掩模膜MK的形状之一例的图。

图7为表示步骤ST22中的基板W的截面结构之一例的图。

图8为表示实验1的测定结果的图。

图9为表示实验2的测定结果的图。

图10为表示实验2的测定结果的图。

图11为表示实验3的测定结果的图。

图12为表示实验3的测定结果的图。

图13为用于说明凹部RC的截面形状的评价方法之一例的图。

图14为表示实验4的测定结果的图。

图15为表示实验4的测定结果的图。

具体实施方式

以下，对本公开的各实施方式进行说明。