[发明专利]元件对齐腔室及使用其制造显示装置的方法在审
申请号: | 202180047560.0 | 申请日: | 2021-05-03 |
公开(公告)号: | CN115769358A | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
发明(设计)人: | 金炯硕;金元奎;赵显敏 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 元件 对齐 使用 制造 显示装置 方法 | ||
1.一种元件对齐腔室,包括:
腔室;
台,设置在所述腔室内;
基板,设置在所述台上,并包括有效区域和非有效区域,其中发光元件对齐在所述有效区域中,所述非有效区域围绕所述有效区域并包括焊盘部;
探测单元,设置在所述台上,并向所述基板的所述焊盘部施加对齐信号;以及
冷却单元,包括冷却水通道和冷却供应部,所述冷却水通道在所述基板的所述焊盘部和所述台之间与所述焊盘部重叠,所述冷却供应部设置在所述腔室的外部,并向所述冷却水通道供应冷却水。
2.根据权利要求1所述的元件对齐腔室,其中,
所述冷却水通道与所述基板的所述焊盘部的延伸方向平行地延伸。
3.根据权利要求2所述的元件对齐腔室,其中,
所述冷却水通道的至少一部分与所述基板的所述焊盘部重叠。
4.根据权利要求2所述的元件对齐腔室,其中,
所述冷却水通道的宽度大于或等于所述基板的所述焊盘部的宽度。
5.根据权利要求2所述的元件对齐腔室,其中,
所述基板的所述焊盘部与所述冷却水通道完全重叠。
6.根据权利要求1所述的元件对齐腔室,其中,
所述探测单元包括:探测支承件,设置在所述台上;以及探测焊盘,设置在所述探测支承件的一端,以及
所述冷却水通道与所述探测焊盘的延伸方向平行地延伸。
7.根据权利要求6所述的元件对齐腔室,其中,
所述冷却水通道的至少一部分与所述探测焊盘重叠。
8.根据权利要求1所述的元件对齐腔室,其中,
所述台在其上表面上包括用于支承所述基板的多个接近销,以及
所述冷却水通道设置在所述接近销之间。
9.根据权利要求1所述的元件对齐腔室,其中,
所述腔室包括多个腔室孔,所述冷却水通道穿过所述多个腔室孔。
10.根据权利要求9所述的元件对齐腔室,其中,
所述台包括多个台孔,所述冷却水通道穿过所述多个台孔。
11.根据权利要求10所述的元件对齐腔室,其中,
所述冷却供应部设置在所述腔室的下方,以及
所述多个腔室孔设置在所述腔室的下表面,并与所述多个台孔重叠。
12.根据权利要求10所述的元件对齐腔室,其中,
所述冷却供应部包括:第一冷却供应部和第二冷却供应部;以及与所述第一冷却供应部连接的第一冷却水通道和与所述第二冷却供应部连接的第二冷却水通道,以及
所述第一冷却水通道和所述第二冷却水通道各自穿过所述腔室孔和所述台孔,并与所述基板的所述焊盘部点接触。
13.根据权利要求10所述的元件对齐腔室,其中,
所述冷却供应部设置在所述腔室的上方,并且所述多个腔室孔设置在所述腔室的两个侧表面。
14.根据权利要求10所述的元件对齐腔室,其中,
所述冷却单元包括:第一冷却水通道,连接于所述冷却供应部的一侧;以及第二冷却水通道,连接于所述冷却供应部的另一侧,以及
所述第一冷却水通道和所述第二冷却水通道各自通过所述腔室孔延伸至所述腔室的侧表面和上表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造