[发明专利]具有减小的内部容积的喷头在审
申请号: | 202180046551.X | 申请日: | 2021-07-22 |
公开(公告)号: | CN115997280A | 公开(公告)日: | 2023-04-21 |
发明(设计)人: | 约瑟夫·埃德加·摩根 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠;张华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 减小 内部 容积 喷头 | ||
1.一种装置,其包含:
喷头主体,其包含:
一或多组第一横向通道,其沿着大致平行于第一平面的路径延伸;
成组的第一气体分配口,其沿着大致垂直于所述第一平面的路径延伸,且具有终止于所述喷头主体内的第一端以及终止于所述喷头主体的第一外表面处的第二端;以及
一个或更多第一流体入口;其中:
所述一或多组第一横向通道包含第一组第一横向通道,
所述第一组第一横向通道被流体设置于所述喷头主体内且在所述成组的第一气体分配口与所述一个或更多第一流体入口之间,并且
所述第一组第一横向通道包含至少一个第一横向通道,其具有选自由以下项组成的群组的横截面:标称三角形横截面、以及标称五边形横截面。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述喷头主体是经增材制造的,并且具有由其产生的各向异性微晶粒结构。
3.根据权利要求1所述的装置,其中:
存在两或更多组第一横向通道,
所述两或更多组第一横向通道还包含第二组第一横向通道,
所述喷头主体还包含一或多组第一立管通道,其沿着大致垂直于所述第一平面的路径延伸,
每组第一立管通道被流体设置于所述多组第一横向通道中的两组之间,并且
所述一或多组第一立管通道包含第一组第一立管通道,其被流体设置于所述第一与第二组第一横向通道之间。
4.根据权利要求3所述的装置,其中所述第一组第一立管通道中的每个第一立管通道为所述第一气体分配口中的相应一个的延伸。
5.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一组第一横向通道中的所述至少一个第一横向通道具有标称三角形横截面。
6.根据权利要求5所述的装置,其中所述标称三角形横截面具有大致平行于所述第一平面的第一侧边,并且具有第二侧边和第三侧边,其各自与所述第一侧边形成45°或更大的夹角。
7.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一组第一横向通道中的所述至少一个第一横向通道具有标称五边形横截面。
8.根据权利要求7所述的装置,其中所述标称五边形横截面为具有以下侧边的五边形:大致平行于所述第一平面的第一侧边、各自与所述第一侧边相邻且大致垂直于所述第一平面的第二侧边及第三侧边、以及分别与所述第二及第三侧边相邻且各自相对于所述第一侧边形成45°或更大的角度的第四侧边及第五侧边。
9.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一气体分配口按非正交菱形网格图案排列。
10.根据权利要求9所述的装置,其中:
所述非正交菱形网格图案具有沿着第一轴的最大节距以及沿着垂直于所述第一轴的第二轴的最小节距,并且所述最大节距大致为所述最小节距的两倍。
11.根据权利要求1所述的装置,其中:
所述第一组第一横向通道中的第一横向通道被排列成两个第一线性阵列,
每个第一线性阵列包含所述第一组第一横向通道中的不同的多个第一横向通道,
每个第一线性阵列中的第一横向通道大致上彼此平行,并且
所述第一组第一横向通道中的第一横向通道之间的每个交叉点与所述第一气体分配口中的相应一个对齐。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造