[发明专利]片上加热器温度校准

说明书

提供了用于在微调规程期间校准用于加热可调电阻网络(224)的加热器(225)的系统、方法和电路系统。在一个示例中，提供了一种电路，其包括：包括第一电阻段(R8‑R17)的可调电阻网络；热耦合到可调电阻网络(224)的加热器元件(225)；包括热耦合到第一电阻段(R8‑R17)的第二电阻段的校准电阻器(R13)；以及耦合到校准电阻器的接口电路系统(275、276)。

背景技术

集成电路(IC)，特别是模拟集成电路，依赖于精确的、温度稳定的电压和/或电流源。传统上，非常精确的电压源可以通过使用带隙或埋入式齐纳电路系统来生产。期望生产既表现出工艺稳定性又表现出温度稳定性的电流源。

发明内容

在一个示例中，提供了一种电路，其包括：包括第一电阻段的可调电阻网络；热耦合到可调电阻网络的加热器元件；包括热耦合到第一电阻段的第二电阻段的校准电阻器；以及耦合到校准电阻器的接口电路系统。

在一个示例中，提供了一种系统，其包括可调电阻网络、热耦合到可调电阻网络的校准电阻器、耦合到校准电阻器的接口电路系统以及热耦合到可调电阻网络的加热器。该系统包括耦合到加热器和接口电路的处理器，该处理器被配置为：从非易失性存储器中检索校准值；生成电源控制信号以使功率脉冲被施加到加热器；通过接口电路系统测量校准电阻器的电阻；以及基于校准值和基于所测量的电阻的值之间的比较来调整电源控制信号以改变功率脉冲的电压电平或持续时间。

在一个示例中，提供了一种方法，其包括使用处理器以：指导电源向加热器提供功率脉冲；测量热耦合到可调电阻网络的校准电阻器的电阻；读取用于校准电阻器的校准值；以及基于校准值和基于所测量的电阻的值之间的比较来调整功率脉冲。

附图说明

下面将仅以示例的方式描述电路、装置和/或方法的一些示例。在此情境中，将参考附图。

图1是根据本描述的一个方面的示例电流源的框图。

图2是根据本描述的一个方面的用于图1的电流源的示例微调(trimming)系统的框图。

图3是根据本描述的一个方面的具有校准电阻器的可调电阻网络的示例物理布局。

图4是根据本描述的一个方面的图3的可调电阻网络的横截面视图。

图5是示例硅化多晶硅电阻器的电阻与温度的曲线图。

图6是示例硅化多晶硅电阻器的电阻与温度的曲线图，其图示了集中在IC的操作范围内，电阻和温度之间的抛物线或二阶关系。

图7是示例硅化多晶硅电阻器的电阻与温度的曲线图，其图示了电阻与温度之间的二阶关系可以如何影响电阻计算。

图8是示例硅化多晶硅电阻器的电阻与温度的曲线图，其图示了根据本描述的一个方面，在可调电阻网络的微调规程期间可以如何计算电阻温度系数。

图9是示例硅化多晶硅电阻器的电阻与温度的曲线图，其图示了根据本描述的一个方面，在可调电阻网络的微调规程期间可以如何计算电阻温度系数。

图10是概述根据本描述的一个方面的用于微调可调电阻网络的示例方法的流程图。

图11是概述根据本描述的一个方面的用于确认在微调期间获得了期望的加热水平的示例方法的流程图。

图12是概述根据本描述的一个方面的用于校准施加到加热器的功率脉冲的示例方法的流程图。

图13是概述根据本描述的一个方面的用于校准施加到加热器的功率脉冲的示例方法的流程图。

具体实施方式

附图可能没有按比例绘制。