[发明专利]片上加热器温度校准在审
| 申请号: | 202180041154.3 | 申请日: | 2021-06-29 |
| 公开(公告)号: | CN115668497A | 公开(公告)日: | 2023-01-31 |
| 发明(设计)人: | 刘丞熙;R·哈斯汀斯 | 申请(专利权)人: | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;G01R27/16 |
| 代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 袁策 |
| 地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 加热器 温度 校准 | ||
1.一种电路,包括:
可调电阻网络,其包括第一电阻段;
加热器元件,其热耦合到所述可调电阻网络;
校准电阻器,其包括热耦合到所述第一电阻段的第二电阻段;以及
接口电路系统,其耦合到所述校准电阻器。
2.根据权利要求1所述的电路,其中所述第一电阻段设置在集成电路的层中,并且所述第二电阻段也设置在所述层中。
3.根据权利要求1所述的电路,其中所述第一电阻段设置在集成电路的第一层中,并且所述第二电阻段设置在所述集成电路的第二层中,其中所述第一层邻近或接近所述第二层。
4.根据权利要求1所述的电路,其中所述第一电阻段是由电阻性材料制成的物理电阻段的阵列的成员,并且所述第二电阻段是所述物理电阻段的所述阵列的成员。
5.根据权利要求1所述的电路,其中所述第二电阻段与所述第一电阻段相互交错。
6.根据权利要求1所述的电路,其中所述第二电阻段属于所述第一电阻段。
7.根据权利要求1所述的电路,其中所述第二电阻段不属于所述第一电阻段。
8.根据权利要求1所述的电路,其中所述接口电路系统包括耦合到所述校准电阻器的导电焊盘。
9.根据权利要求1所述的电路,其中所述接口电路系统包括一个或多个开关,所述开关当被激活时将所述校准电阻器与所述可调电阻网络电隔离。
10.一种系统,包括:
可调电阻网络;
校准电阻器,其热耦合到所述可调电阻网络;
接口电路系统,其耦合到所述校准电阻器;
加热器,其热耦合到所述可调电阻网络;以及
处理器,其耦合到所述加热器和所述接口电路,所述处理器被配置为:
从非易失性存储器检索校准值;
生成电源控制信号,以使功率脉冲施加到所述加热器;
通过所述接口电路系统测量所述校准电阻器的电阻;并且
基于所述校准值与基于所测量的电阻的值之间的比较,调整所述电源控制信号以改变所述功率脉冲的电压电平或持续时间。
11.根据权利要求10所述的系统,其中所述处理器被配置为:
基于所测量的电阻计算所述可调电阻网络的温度;
基于所计算的温度确定所计算的温升;
将所计算的温升与由存储在所述非易失性存储器中的所述校准值指示的校准温升进行比较;并且
基于所述比较来调整所述功率脉冲。
12.根据权利要求10所述的系统,其中:
所述接口电路系统包括多个开关,所述多个开关被配置为当被激活时将所述校准电阻器与所述可调电阻网络电隔离;并且
所述处理器被配置为生成激活所述多个开关的校准信号。
13.一种方法,包括用处理器:
指导电源向加热器提供功率脉冲;
测量热耦合到可调电阻网络的校准电阻器的电阻;
读取用于所述校准电阻器的校准值;以及
基于所述校准值与基于所测量的电阻的值之间的比较来调整所述功率脉冲。
14.根据权利要求13所述的方法,包括用所述处理器:
基于所测量的电阻,确定所述可调电阻网络响应于来自所述加热器的热量的所计算的温升;
将所计算的温升与所述校准值进行比较,其中所述校准值指示校准温升;以及
基于所计算的温升与所述校准温升之间的比较,选择性地修改所述功率脉冲。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





