[发明专利]聚合性组合物、墨水、转印铸模及电极构件的制造方法

说明书

一种聚合性组合物，其为电离放射线硬化型的聚合性组合物，含有：(A)第一成分，包含下述式(1)所表示的(甲基)丙烯酰基吗啉；以及(B)第二成分，包含下述式(2)所表示的化合物，所述聚合性组合物中的所述第一成分的含量与所述第二成分的含量的合计为50重量％以上。所述聚合性组合物即便经过加热工序S107中的高温环境，也可适当地保持利用硬化工序S102硬化后的形状，并且可利用溶解工序S106中的含水溶解液溶解。在式(1)中，R¹为氢或甲基。在式(2)中，R²为氢或碳数1～6的基，R³及R⁴分别独立地为氢或碳数20以下的基，n为1～6的整数。

技术领域

本发明涉及一种当与高密度化安装对应地成批进行电极形成时可优选地使用的聚合性组合物、包含所述聚合性组合物的墨水、包含对所述聚合性组合物照射电离放射线而获得的电离放射线硬化物的转印铸模、及包括使用所述聚合性组合物而形成于基材上的电极群的电极构件的制造方法。

背景技术

在专利文献1中，关于在作为高密度化安装的一形态的晶片级芯片尺寸封装(WL-CSP)中，在晶片上所形成的多个半导体装置(集成电路(IC))中成批地形成电极的技术，记载了一种具有包含非感放射线性树脂组合物的下层与包含负型感放射线性树脂组合物的上层且可兼顾高分辨率性与易剥离性的双层层叠膜、及使用所述双层层叠膜形成凸块的方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2007-79550公报

发明内容

发明所要解决的问题

在专利文献1记载的所述双层层叠膜中，当显影时，上层中仅残存经放射线照射的部分，下层中与上层中去除部分(放射线非照射部)对应的部分被溶解去除。因此，在双层层叠膜中仅残存经放射线照射的部分，而放射线非照射部在显影阶段被去除。在如此般双层层叠膜进行了去除后的部分中埋入金属膏，并连同晶片一起进行加热而使金属膏回流，从而在晶片上成批形成多个凸块。在如此般进行凸块的成批形成后，利用二甲基亚砜(DMSO)之类的有机溶剂系剥离液将晶片上残存的双层层叠膜去除。

近年来，安装密度不断提高，因此，为了形成凸块而形成于晶片上的负图案(转印铸模)的形状逐渐复杂化(包括三维化)。然而，若欲通过使用如上所述的双层层叠膜而形成负图案的工艺来形成复杂形状的负图案，则工序变得繁琐。因此，期待制造工序的简化。另外，要求将晶片上残存的构成负图案的材料在凸块形成后切实地去除，但因对环境问题的关注提高，故寻求一种并非利用如上所述的有机溶剂系的剥离液，而可利用水系剥离液予以去除的材料。

进而，在最近的高密度安装技术中，采用在超过芯片面积的广大区域形成再配线层的扇出(fan-out)型晶片级封装(wafer level packaging，WLP)，也实现了将所述扇出型WLP层叠多层的堆叠模块(stack module)。在此种扇出型WLP中，在再配线层大量形成包含铜等的导电性柱，并在导电性柱上配置焊料球等连接材料。所述连接材料的配置精度需随安装密度的提升而变高，因此要求将连接材料更准确地配置于导电性柱上。