[发明专利]上电复位电路和包括上电复位电路的集成电路在审

专利信息
申请号: 202180031451.X 申请日: 2021-04-19
公开(公告)号: CN115461996A 公开(公告)日: 2022-12-09
发明(设计)人: 温琴佐·莱昂纳多 申请(专利权)人: AMS国际有限公司
主分类号: H03K17/14 分类号: H03K17/14;H03K17/22;H03K17/567
代理公司: 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 代理人: 孙静;刘继富
地址: 瑞士*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 复位 电路 包括 集成电路
【权利要求书】:

1.一种上电复位电路,包括:

-用于参考电位(VSS)的端子(101)和用于电源电位(VDD)的端子(102);

-分压器(130),其耦合在所述用于参考电位(VSS)的端子(101)和所述用于电源电位(VDD)的端子(102)之间;

-第一晶体管(110)和第二晶体管(120),所述第一晶体管(110)和所述第二晶体管(120)均具有连接到分压器(130)的基极、集电极和分别电阻地耦合到用于参考电位(VSS)的端子(101)的发射极;

-第一电流镜(150),其耦合到第一晶体管(110)并耦合到输出端子(103),所述输出端子配置为响应于用于参考电位的和电源电位(VDD)的端子(101、102)之间的电压而提供输出信号(POR);

-第二电流镜(160),其耦合到第二晶体管(120)并通过第三电流镜(170)耦合到输出端子(103);

-第一补偿晶体管(180),其耦合在第一晶体管和第二晶体管(120)之一的集电极和用于参考电位(VSS)的端子(101)之间;和

-第二补偿晶体管(190),其耦合在输出端子(103)和用于参考电位(VSS)的端子(101)之间。

2.根据权利要求1所述的上电复位电路,其中,所述第一补偿晶体管(180)和所述第二补偿晶体管(190)分别包括具有基极、集电极和发射极的双极晶体管,其中所述基极连接到所述发射极。

3.根据权利要求2所述的上电复位电路,其中,所述第一晶体管(110)和所述第二晶体管(120)的集电极分别具有集电极面积,其中,所述第一晶体管(110)的集电极面积是所述第二晶体管(120)的集电极面积的倍数。

4.根据权利要求3所述的上电复位电路,其中,所述第一补偿晶体管(180)连接到所述第二晶体管(120)的集电极,并且所述第一补偿晶体管的基极和发射极连接到用于参考电位(VSS)的端子(101)。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的上电复位电路,其中,所述第一电流镜(150)包括输入路径和输出路径,所述输入路径包括与第一晶体管(110)的集电极和用于电源电位(VDD)的端子(102)相连接的二极管连接的晶体管(151),所述输出路径包括具有与输入路径的晶体管(151)的控制端子相连接的控制端子的晶体管(152),所述输出路径的晶体管(152)连接在输出端子(103)和用于电源电位(VDD)的端子(102)之间。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的上电复位电路,其中,所述第二电流镜(160)包括输入路径和输出路径,第二电流镜(160)的输入路径包括与第二晶体管(120)的集电极和用于电源电位(VDD)的端子(102)相连接的二极管连接的晶体管(161),第二电流镜(160)的输出路径包括具有与第二电流镜的输入路径的晶体管(161)的控制端子相连接的控制端子的晶体管(162),其中,所述第三电流镜(170)包括输入路径和输出路径,所述第三电流镜(170)的输入路径包括与所述第二电流镜(160)的输出路径的晶体管(162)相连接的二极管连接的晶体管(171),所述第三电流镜(170)的输出路径包括具有与第三电流镜(170)的输入路径的晶体管(171)的控制端子相连接的控制端子的晶体管(172),所述第三电流镜(170)的输出路径的晶体管(172)连接在输出端子(103)和用于参考电位(VSS)的端子(102)之间。

7.根据权利要求6所述的上电复位电路,其中,所述第二补偿晶体管(190)的基极-集电极路径并联连接到所述第三电流镜(170)的输出路径的晶体管(172)。

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