[发明专利]用于热处理系统的支撑结构在审
申请号: | 202180017407.3 | 申请日: | 2021-02-24 |
公开(公告)号: | CN115176338A | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 曼努埃尔·森;罗尔夫·布雷门斯多夫;斯克·哈姆;亚历克斯·旺斯德勒 | 申请(专利权)人: | 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67 |
代理公司: | 北京易光知识产权代理有限公司 11596 | 代理人: | 梅丹丹;武晨燕 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 热处理 系统 支撑 结构 | ||
提供了用于热处理系统的支撑板和支撑结构以加热工件。在一个示例中,提供了一种热处理装置,包括:多个热源、可旋转支撑板以及支撑结构,该支撑结构在可旋转支撑板的径向方向上的柔性大于在可旋转支撑板的方位方向上的柔性。还提供了用于在热处理装置中支撑工件的支撑板。支撑板可以包括限定径向方向和方位方向的基座,以及至少一个从基座延伸的支撑结构,该支撑结构在基座的径向方向上的柔性大于在基座的方位方向上的柔性。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年2月28日提交的名称为“用于热处理系统的支撑结构”的第62/983,032号美国临时专利申请的优先权,其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开大体上涉及用于热处理系统的(一个或多个)支撑结构。
背景技术
如本文所用,热处理腔室是指加热工件(诸如半导体晶片)的设备。这样的设备可以包括用于支撑一个或多个半导体晶片的支撑板和用于加热半导体工件的能量源,诸如加热灯、激光器或其他热源。在热处理期间,可以根据预设温度方案在受控条件下加热半导体工件。
许多半导体加热工艺需要将工件加热到高温,以便在将工件制造成(一个或多个)设备时可以发生各种化学和物理转变。例如,在快速热处理期间,半导体工件可以通过支撑板被灯阵列加热到约300℃至约1,200℃的温度,持续时间通常几分钟不到。在这些工艺中,主要目标可以是尽可能均匀地加热工件。
发明内容
本公开实施例的多个方面和优点将在以下描述中进行部分阐述,或者可以从描述中获知,或者可以通过实施例的实践来获知。
一个示例方面涉及一种热处理装置。热处理装置包括:多个热源,被配置为加热工件;可旋转支撑板,能够操作以在热处理期间支撑工件,可旋转支撑板限定径向方向和方位方向;以及,支撑结构,从可旋转支撑板延伸,支撑结构被配置为在热处理期间接触工件,支撑结构包括第一端和第二端,其中,支撑结构的第一端被布置为在热处理期间支撑工件,其中,支撑结构在可旋转支撑板的径向方向上的柔性大于在可旋转支撑板的方位方向上的柔性。
其他方面涉及一种用于在热处理装置中支撑工件的支撑板。支撑板包括:基座,限定径向方向和方位方向;以及,至少一个支撑结构,从基座延伸,至少一个支撑结构被配置为在热处理期间支撑工件;其中,支撑结构在基座的径向方向上的柔性大于在基座的方位方向上的柔性。
其他示例方面涉及用于热处理半导体衬底的系统、方法、设备和工艺。可以对本公开的示例方面进行变化和修改。
参考以下描述和所附权利要求将更好地理解各种实施例的这些和其他特征、方面和优点。包含在本说明书中并构成本说明书一部分的附图示出了本公开的实施例,并且与描述一同用于解释相关原理。
附图说明
在参考附图的说明书中阐述了针对本领域普通技术人员的实施例的详细讨论,其中:
图1描绘了根据本公开的示例实施例的示例快速热处理(Rapid ThermalProcessing,RTP)装置;
图2描绘了根据本公开的示例实施例的示例支撑结构;
图3描绘了根据本公开的示例实施例的示例可旋转支撑板;
图4描绘了根据本公开的示例实施例的可旋转支撑板上的示例凹口;
图5描绘了根据本公开的示例实施例的示例可旋转支撑板和支撑结构;
图6描绘了根据本公开的示例实施例的示例支撑结构;
图7描绘了根据本公开的示例实施例的示例支撑结构;以及
图8描绘了根据本公开的示例实施例的示例支撑结构。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司,未经玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202180017407.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造