[发明专利]成像元件、层叠型成像元件、固态成像装置和无机氧化物半导体材料

权利要求书

1.一种成像元件，包括：

光电转换单元，其由第一电极、包括有机材料的光电转换层和第二电极层叠而构成，

其中在所述第一电极和所述光电转换层之间形成有无机氧化物半导体材料层，并且

构成所述无机氧化物半导体材料层的无机氧化物半导体材料包含镓原子、锡原子、锌原子和氧原子。

2.根据权利要求1所述的成像元件，其中所述无机氧化物半导体材料的光学带隙等于或大于2.7eV且等于或小于3.2eV。

3.根据权利要求2所述的成像元件，其中当所述无机氧化物半导体材料的组成表示为Ga_aSn_bZn_cO_d(其中，a+b+c＝1.00，且a0，b0以及c0)时，满足0.45(b-0.62)≤0.55a≤0.45b…(1)。

4.根据权利要求1所述的成像元件，其中所述无机氧化物半导体材料的氧缺陷产生能量等于或大于2.6eV。

5.根据权利要求4所述的成像元件，其中当所述无机氧化物半导体材料的组成表示为Ga_aSn_bZn_cO_d(其中，a+b+c＝1.00，且a0，b0以及c0)时，满足a≤-3.0(b-0.63)…(2)。

6.根据权利要求1所述的成像元件，其中所述无机氧化物半导体材料层的载流子迁移率等于或大于10cm²/V·s，并且当所述无机氧化物半导体材料的组成表示为Ga_aSn_bZn_cO_d(其中，a+b+c＝1.00，且a0，b0以及c0)时，满足b≥0.23…(3)。

7.根据权利要求1所述的成像元件，其中当所述无机氧化物半导体材料的组成表示为Ga_aSn_bZn_cO_d(其中，a+b+c＝1.00，且a0，b0以及c0)时，a、b和c的值

满足以下表达式(1)，或

满足以下表达式(2)，或

满足以下表达式(3)，或

满足以下表达式(1)和(2)，或

满足以下表达式(1)和(3)，或

满足以下表达式(2)和(3)，或

满足以下表达式(1)、(2)和(3)，

这里，

0.45(b-0.62)≤0.55a≤0.45b…(1)

a≤-3.0(b-0.63)…(2)

b≥0.23…(3)。

8.根据权利要求1所述的成像元件，其中当所述无机氧化物半导体材料的组成表示为Ga_aSn_bZn_cO_d(其中，a+b+c＝1.00，且a0，b0以及c0)时，a、b和c的值满足以下所有表达式(1)、(2)和(3)：

0.45(b-0.62)≤0.55a≤0.45b…(1)

a≤-3.0(b-0.63)…(2)

b≥0.23…(3)。

9.根据权利要求1所述的成像元件，其中所述无机氧化物半导体材料层的载流子迁移率等于或大于10cm²/V·s。

10.根据权利要求1所述的成像元件，其中所述光电转换单元进一步地包括绝缘层和电荷累积电极，所述电荷累积电极布置成与所述第一电极分离并布置成经由所述绝缘层与所述无机氧化物半导体材料层相对。

11.根据权利要求1所述的成像元件，其中所述光电转换层中生成的电荷经由所述无机氧化物半导体材料层传输到所述第一电极。