[发明专利]包含跨不同分层共享字线驱动器的三维存储器器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

第一外围电路，所述第一外围电路包括场效应晶体管和嵌入有金属互连结构的介电材料层；

第一三维存储器阵列，所述第一三维存储器阵列覆盖在所述第一外围电路上面，并且包括第一绝缘层与包括第一字线和第一选择线的第一导电层的第一交替堆叠，以及竖直延伸穿过所述第一交替堆叠的第一存储器堆叠结构；和

第二三维存储器阵列，所述第二三维存储器阵列覆盖在所述第一三维存储器阵列上面，并且包括第二绝缘层与包括第二字线和第二选择线的第二导电层的第二交替堆叠，以及竖直延伸穿过所述第二交替堆叠的第二存储器堆叠结构，

其中所述第一外围电路包括具有第一字线驱动器输出节点的第一字线驱动器电路，所述第一字线驱动器输出节点电连接到所述第一字线中的至少一些第一字线和所述第二字线中的至少一些第二字线；并且

其中每个第一字线电连接到相应的第二字线。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一字线驱动器输出节点的子集内的每个第一字线驱动器输出节点电连接到相应的字线切换晶体管，电连接到相应的第一字线，并且电连接到相应的第二字线。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一外围电路还包括第一选择线驱动器电路，所述第一选择线驱动器电路包括：

第一选择线驱动器输出节点，所述第一选择线驱动器输出节点电连接到所述第一选择线并且不电连接到所述第二导电层中的任一个第二导电层；和

第二选择线驱动器输出节点，所述第二选择线驱动器输出节点电连接到所述第二选择线并且不电连接到所述第一导电层中的任一个第一导电层。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中所述第一选择线驱动器输出节点包括：

源极侧选择线驱动器输出节点，所述源极侧选择线驱动器输出节点电连接到所述第一选择线的源极侧选择线；和

漏极侧选择线驱动器输出节点，所述漏极侧选择线驱动器输出节点电连接到所述第一选择线的漏极侧选择线。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：

所述第一存储器堆叠结构中的每个第一存储器堆叠结构包括相应的第一竖直半导体沟道和存储器元件的相应的第一竖直堆叠；并且

所述第二存储器堆叠结构中的每个第二存储器堆叠结构包括相应的第二竖直半导体沟道和存储器元件的相应的第二竖直堆叠。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中：

所述第一三维存储器阵列还包括电连接到所述第一竖直半导体沟道的相应的子集的第一端部的第一位线；并且

所述第二三维存储器阵列还包括电连接到所述第二竖直半导体沟道的相应的子集的第一端部的第二位线。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中所述第一外围电路还包括具有第一位线驱动器输出节点的第一位线驱动器电路，所述第一位线驱动器输出节点电连接到所述第一位线中的相应的第一位线和所述第二位线中的相应的第二位线。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中：

所述第一外围电路和所述第一三维存储器阵列位于第一半导体管芯中；并且

所述第二三维存储器阵列位于接合到所述第一半导体管芯的第二半导体管芯中。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其中：

所述第一半导体管芯还包括嵌入有第一金属互连结构和第一金属接合垫的第一介电材料层；并且

所述第二半导体管芯还包括嵌入有第二金属互连结构和第二金属接合垫的第二介电材料层，所述第二金属接合垫接合到相应的第一金属接合垫。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其中所述第一字线驱动器电路的所述第一字线驱动器输出节点通过所述第一金属接合垫和所述第二金属接合垫的配合对的子集电连接到所有所述第一字线和所有所述第二字线。