[发明专利]用于增强可靠性的三维存储器件和制造方法

权利要求书

1.一种用于制造三维(3D)存储器件的方法，包括：

提供衬底；以及

在所述衬底的顶表面之上形成堆叠体结构，其中，形成所述堆叠体结构包括：

形成功能层，所述功能层延伸穿过所述堆叠体结构；以及

在所述功能层的表面上形成半导体沟道，

其中，所述功能层和所述半导体沟道中的至少一者包括一定量的氘元素。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述功能层包括：

形成沟道孔，所述沟道孔延伸穿过所述堆叠体结构；

在所述沟道孔的侧壁上形成阻挡层；

在所述阻挡层的表面上形成电荷捕获层；以及

在所述电荷捕获层的表面上形成隧穿层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述阻挡层、所述电荷捕获层、所述隧穿层和所述半导体沟道中的至少一者包括具有氘元素的复合物。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述阻挡层、所述电荷捕获层、所述隧穿层和所述半导体沟道均包括一定数目的氘元素。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述阻挡层、所述电荷捕获层、所述隧穿层和所述半导体沟道均包括具有氘元素的复合物。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述阻挡层、所述电荷捕获层、所述隧穿层和所述半导体沟道不包括具有结合到缺陷状态的氢元素的复合物。

7.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述阻挡层、形成所述电荷捕获层、形成所述隧穿层或形成所述半导体沟道包括：

使用包括氘元素的气体源。

8.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述阻挡层、形成所述电荷捕获层、形成所述隧穿层和形成所述半导体沟道均包括：

使用包括氘元素的气体源。

9.根据权利要求2所述的方法，还包括：

将氘元素传输到所述阻挡层、所述电荷捕获层、所述隧穿层和所述半导体沟道中的所述至少一者。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，将氘元素传输到所述阻挡层、所述电荷捕获层、所述隧穿层和所述半导体沟道中的所述至少一者包括：

通过离子注入和/或扩散传输氘元素。

11.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述堆叠体结构还包括：

形成交替堆叠的第一电介质层和第二电介质层；

通过蚀刻去除所述第二电介质层以形成腔；

通过所述腔将一定数量的氘元素传输到所述阻挡层；

通过扩散将所述一定数量的氘元素的部分传输到所述电荷捕获层、所述隧穿层和所述半导体沟道；以及

在所述腔中沉积导电层。

12.根据权利要求11所述的方法，其中：

形成延伸穿过所述堆叠体结构并分隔多个存储单元的栅极线缝隙结构，并且所述第一电介质层的相对于所述半导体沟道靠近所述栅极线缝隙结构的部分包括具有氘元素的复合物。

13.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在形成所述堆叠体结构之后，将一定数量的氘元素传输至所述堆叠体结构的区域。

14.根据权利要求2所述的方法，还包括：

在形成所述半导体沟道之后，通过所述沟道孔的开口将氘元素传输至所述半导体沟道、所述隧穿层、所述电荷捕获层和所述阻挡层中的至少一者；以及

通过电介质材料填充所述沟道孔的所述开口。