[发明专利]存储装置及其编程操作

说明书

在某些方面，一种存储装置包括存储串以及耦合到存储串的外围电路，每个存储串包括漏极选择栅极(DSG)晶体管和存储单元。外围电路被配置为在编程/验证周期中对存储串的选择的存储串中的存储单元中的目标存储单元进行编程，并且在对目标存储单元进行编程之后，使用包括初始验证电压的一个或多个验证电压来验证目标存储单元。外围电路还被配置为将初始验证电压与阈值验证电压进行比较以获得比较结果，并且在对目标存储单元的编程和验证之间，至少基于该比较结果来控制存储串的未选择的存储串中的DSG晶体管。

技术领域

本公开涉及存储装置及其操作方法。

背景技术

闪存是一种可以电擦除和重新编程的低成本、高密度、非易失性固态存储介质。闪存包括NOR闪存和NAND闪存。闪存可以执行各种操作，例如读取、编程(写入)和擦除，以将每个存储单元的阈值电压改变为期望的电平。对于NAND闪存，擦除操作可以在块级执行，并且编程操作或读取操作可以在页级执行。

发明内容

在一个方面，一种存储装置包括存储串以及耦合到存储串的外围电路，每个存储串包括漏极选择栅极(DSG)晶体管和存储单元。外围电路被配置为在编程/验证周期中对存储串的选择的存储串中的存储单元中的目标存储单元进行编程，并且在对目标存储单元进行编程之后，使用包括初始验证电压的一个或多个验证电压来验证目标存储单元。外围电路还被配置为将初始验证电压与阈值验证电压进行比较以获得比较结果，并且在对目标存储单元的编程和验证之间，至少基于该比较结果来控制存储串的未选择的存储串中的DSG晶体管。

在另一方面，一种存储系统包括被配置为存储数据的存储装置，以及耦合到该存储装置的存储器控制器。存储装置包括均包括DSG晶体管和存储单元的存储串、以及耦合到存储串的外围电路。外围电路被配置为在编程/验证周期中对存储串的选择的存储串中的存储单元的目标存储单元进行编程，并且在对目标存储单元进行编程之后，使用包括初始验证电压的一个或多个验证电压来验证目标存储单元。外围电路还被配置为将初始验证电压与阈值验证电压进行比较以获得比较结果，并且在对目标存储单元的编程和验证之间，至少基于该比较结果来控制存储串的未选择的存储串中的DSG晶体管。存储器控制器被配置为通过外围电路控制存储串的操作。

在又一方面，提供了一种用于操作存储装置的方法。存储装置包括存储串，每个存储串包括DSG晶体管和存储单元。在编程/验证周期中，对存储串的选择的存储串中的存储单元的目标存储单元进行编程。在对目标存储单元进行编程之后，使用包括初始验证电压的一个或多个验证电压来验证目标存储单元。将初始验证电压与阈值验证电压进行比较以获得比较结果。在对目标存储单元的编程和验证之间，至少基于该比较结果来控制存储串的未选择的存储串中的DSG晶体管。

附图说明

附图并入本文并形成说明书的一部分，其示出了本公开的各方面，并且与说明书一起进一步用于解释本公开的原理并使相关领域的技术人员能够做出和使用本公开。

图1示出了根据本公开的一些方面的具有存储装置的系统的框图。

图2A示出了根据本公开的一些方面的具有存储装置的存储卡的示图。

图2B示出了根据本公开的一些方面的具有存储装置的固态驱动器(SSD)的示图。

图3示出了根据本公开的一些方面的包括外围电路的存储装置的示意图。

图4A和图4B分别示出了根据本公开的一些方面的包括NAND存储串的存储单元阵列的截面的侧视图和平面图。

图5示出了根据本公开的一些方面的包括存储单元阵列和外围电路的存储装置的框图。

图6示出了根据本公开的一些方面的存储单元的阈值电压分布和对应的验证电压的示例。

图7示出了根据本公开的一些方面的编程操作中的编程/验证周期。