[实用新型]一种低压信号驱动高压MOS的电路

说明书

本实用新型公开了一种低压信号驱动高压MOS的电路，该电路包括固定电阻R1、R2、R3、R4，可变电阻RX，三极管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5；电源V1与RX的第一固定端连接；RX的第二固定端接地；PWM通过R4后与Q1的发射极连接；PWM通过R4后与Q2的发射极连接；RX的可变端同时与Q1的基极、Q2的基极以及Q5的集电极连接；Q1的集电极与Q3的基极连接；Q2的集电极与Q4的基极连接；电源V2与Q3的发射极连接；Q3的集电极同时与R1的第一端和Q4的集电极连接；Q4的发射机接地；Q5的发射机接地；Q5的基极通过R2后与R1的第二端连接；Q5的基极通过R3后接地。其通过可调电阻对PWM电压基准设定，进而实现对Q1、Q2开启时间以及驱动电压上升跌落速度的调整，达到对输出电压的限压效果。

技术领域

本实用新型涉MOS管电路领域，尤其涉及一种低压信号驱动高压MOS的电路。

背景技术

目前，利用低压信号驱动高压MOS管的电路中，为了实现对输出电压的限压，采用了各种方式，有在输出端设置稳压电路实现输出电压的限压，也有在电源端进行限压设置的。

现在的方式中均会采用到多种元器件，一方面增加线路的复杂性，另一方面也增加成本。

因此，设计一种低压信号驱动高压MOS的电路，能简单的实现输出电压的限压，是目前亟待解决的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种低压信号驱动高压MOS的电路，创新点在于通过可调电阻实现对PWM电压基准的设定，进而实现对Q1、Q2开启时间以及驱动电压上升跌落速度的调整，达到对输出电压的限压效果。

为实现上述实用新型目的，本实用新型的技术方案是：

一种低压信号驱动高压MOS的电路，包括固定电阻R1、R2、R3、R4，可变电阻RX，三极管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5；电源V1与RX的第一固定端连接；RX的第二固定端接地；PWM通过R4后与Q1的发射极连接；PWM通过R4后与Q2的发射极连接；RX的可变端同时与Q1的基极、Q2的基极以及Q5的集电极连接；Q1的集电极与Q3的基极连接；Q2的集电极与Q4的基极连接；电源V2与Q3的发射极连接；Q3的集电极同时与R1的第一端和Q4的集电极连接；Q4的发射机接地；Q5的发射机接地；Q5的基极通过R2后与R1的第二端连接；Q5的基极通过R3后接地。

作为优选，电源V1的电压小于或等于电源V2的电压。

作为优选，Q1和Q4为NPN型三极管。

作为优选，Q2和Q3为PNP型三极管。

作为优选，Q3和Q4为MOS管提供驱动电流

本实用新型的有益效果是：

通过可调电阻实现对PWM电压基准的设定，进而实现对Q1、Q2开启时间以及驱动电压上升跌落速度的调整，达到对输出电压的限压效果。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的一种低压信号驱动高压MOS的电路示意图。

具体实施方式

下面将结合附图对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。

本实用新型提供一种低压信号驱动高压MOS的电路，包括固定电阻R1、R2、R3、R4，可变电阻RX，三极管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5；电源V1与RX的第一固定端连接；RX的第二固定端接地；PWM通过R4后与Q1的发射极连接；PWM通过R4后与Q2的发射极连接；RX的可变端同时与Q1的基极、Q2的基极以及Q5的集电极连接；Q1的集电极与Q3的基极连接；Q2的集电极与Q4的基极连接；电源V2与Q3的发射极连接；Q3的集电极同时与R1的第一端和Q4的集电极连接；Q4的发射机接地；Q5的发射机接地；Q5的基极通过R2后与R1的第二端连接；Q5的基极通过R3后接地。