[实用新型]一种低压信号驱动高压MOS的电路

权利要求书

1.一种低压信号驱动高压MOS的电路，其特征在于，包括固定电阻R1、R2、R3、R4，可变电阻RX，三极管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5；电源V1与所述RX的第一固定端连接；所述RX的第二固定端接地；PWM通过所述R4后与所述Q1的发射极连接；所述PWM通过R4后与所述Q2的发射极连接；所述RX的可变端同时与所述Q1的基极、所述Q2的基极以及所述Q5的集电极连接；所述Q1的集电极与所述Q3的基极连接；所述Q2的集电极与所述Q4的基极连接；电源V2与所述Q3的发射极连接；所述Q3的集电极同时与所述R1的第一端和所述Q4的集电极连接；所述Q4的发射机接地；所述Q5的发射机接地；所述Q5的基极通过所述R2后与所述R1的第二端连接；所述Q5的基极通过所述R3后接地。

2.如权利要求1所述的一种低压信号驱动高压MOS的电路，其特征在于，所述电源V1的电压小于或等于所述电源V2的电压。

3.如权利要求1所述的一种低压信号驱动高压MOS的电路，其特征在于，所述Q1和所述Q4为NPN型三极管。

4.如权利要求1所述的一种低压信号驱动高压MOS的电路，其特征在于，所述Q2和所述Q3为PNP型三极管。

5.如权利要求1所述的一种低压信号驱动高压MOS的电路，其特征在于，所述Q3和所述Q4为MOS管提供驱动电流。