[实用新型]一种用于低温与高温刻蚀工艺的电极结构

说明书

本实用新型属于等离子刻蚀技术领域，具体涉及一种用于低温与高温刻蚀工艺的电极结构，包括电极本体，电极本体包括从上到下依次设置的加热台和水冷板，加热台底部设置有氦气输送外接管、测温器安装管、加热组件出线管，氦气输送外接管、测温器安装管、加热组件出线管均设置为套管结构，套管结构包括同轴安装的内管和外管，内管顶端与加热台下表面接触，外管顶端与水冷板下表面接触；套管结构在远离水冷板的位置处，于内管的外壁与外管的内壁之间，以及套管结构的外管与水冷板下表面接触位置均设置有密封组件。所述电极装置用于承载晶圆，同时结合所述调控方法为晶圆提供刻蚀工艺所需合适的温度。

技术领域

本实用新型属于等离子刻蚀技术领域，具体涉及一种用于低温与高温刻蚀工艺的电极结构。

背景技术

目前，电极组件作为工艺过程中承载晶圆的机构，是整个刻蚀过程中影响晶圆刻蚀均匀性的最重要因素，而在这部分影响因素中占据大比例的因素就是电极组件的温度，电极组件的温度直接影响着待刻蚀晶圆的表面温度。对待不同的工艺类型，晶圆表面的温度要求也不同，这个时候晶圆的温度就只能依靠电极组件的温度来调节，而对于一些特殊工艺，比如InP的刻蚀工艺中，需要晶圆的温度很高，有的时候需要达到400多摄氏度，但现有的电极方案中一般适用普通橡胶圈来直接进行电极组件之间以及工艺腔室之间的密封，但在400多摄氏度的高温时，普通橡胶圈将失去作用，导致设备漏气，无法正常工作，因此需要设计一种特殊的电极组件从而满足高温与低温刻蚀工艺需求。

发明内容

本实用新型提供一种用于低温与高温刻蚀工艺的电极结构，用于承载晶圆，同时为晶圆提供高温与低温刻蚀工艺所需合适的温度。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种用于低温与高温刻蚀工艺的电极结构，包括电极本体，所述电极本体包括从上到下依次设置的加热台和水冷板，所述加热台底部设置有氦气输送外接管、测温器安装管、加热组件出线管，其中：

所述氦气输送外接管、所述测温器安装管、所述加热组件出线管均设置为套管结构，所述套管结构包括同轴安装的内管和外管，所述内管顶端与所述加热台下表面接触，所述外管顶端与所述水冷板下表面接触；

所述套管结构在远离所述水冷板的位置处，于所述内管的外壁与所述外管的内壁之间，以及所述套管结构的外管与所述水冷板下表面接触位置均设置有密封组件。

作为本实用新型的进一步优选，所述电极本体的正面分别设置有晶圆置放部以及氦气输出区域，背面设置有氦气输送管，所述氦气输送管外部套装有所述氦气输送外接管；所述氦气输送管通过所述电极本体中布置的氦气输送流路与所述氦气输出区域连通；

所述氦气输送流路包括有分流管以及若干氦气分流支路；所述分流管具有一个氦气入口以及两个以上的氦气出口，所述分流管的氦气入口与所述的氦气输送管出口端连通，所述分流管的氦气出口与各氦气分流支路的入口一一对应连通，而各氦气分流支路的出口则与所述的氦气输出区域连通。

作为本实用新型的进一步优选，所述加热台与所述水冷板之间设置有导热环，其中：

所述加热台的上表面为前述的电极本体正面，所述加热台的下表面为前述的电极本体背面；

所述加热台的下表面，在中部位置处设置有导热环嵌槽，所述导热环嵌槽槽深为h；

所述导热环嵌装在所述导热环嵌槽中，且所述导热环的厚度为h1，h1h；

所述加热台的外侧区域与所述水冷板的外侧区域之间通过法兰配合连接的方式连接成一体。

作为本实用新型的进一步优选，所述测温器安装管设置个数为2。

作为本实用新型的进一步优选，所述电极本体，沿着中心位置贯穿设置有中心圆孔，并在所述中心圆孔的外围，分别设置有第一圆孔、第二圆孔、第三圆孔、第四圆孔；