[实用新型]太阳能电池背面结构及TBC背接触太阳能电池

说明书

本实用新型公开了一种太阳能电池背面结构，硅片的背面依次覆盖有第一隧穿氧化层和p+掺杂层，所述第一隧穿氧化层和p+掺杂层上局部开设有第一开槽，所述p+掺杂层远离所述第一隧穿氧化层的一侧以及第一隧穿氧化层和p+掺杂层靠近第一开槽的侧面上覆盖有第一氮化硅层；覆盖在所述p+掺杂层远离第一隧穿氧化层一侧的第一氮化硅层上具有第二开槽，所述第二开槽内具有第二隧穿氧化层；位于所述第一开槽内的相邻第一氮化硅层之间以及位于第二开槽内设置有n+掺杂层，并在所述n+掺杂层上设置第二氮化硅层，对应所述第二氮化硅层设置有银电极。本实用新型的太阳能电池背面结构，可以很好的降低银的金属穿刺，减小电池的金属复合。

技术领域

本实用新型属于光伏组件生产制造技术领域，具体涉及一种太阳能电池背面结构以及包括了该太阳能电池背面结构的TBC背接触太阳能电池。

背景技术

大力发展新能源材料是实现碳中和理念的关键，太阳能电池因其独特的优势成为新时代的选择。太阳能电池或称为光伏电池，可以将太阳能直接转换为电能，其原理在于半导体PN结的光生伏特效应。低成本高效率一直是太阳能电池工业化进程中持续的追求。开路电压、电流密度、填充因子是晶硅电池效率的关键参数。常规的背接触IBC结构电池，由于正面无任何栅线遮挡，具有较高的短路电流(41mA/cm²)；钝化接触结构电池，良好的钝化效果以及很低的金属复合，具有较高的开路电压(735mV)。

但是常规的背接触IBC结构电池以及钝化接触结构电池都具有各自的缺点，现有的电池结构中并没有出现结合背接触IBC结构电池和钝化接触结构电池的优点的产品。

实用新型内容

有鉴于此，为了达到上述目的，本实用新型的目的是提供一种太阳能电池背面结构和TBC背接触结构晶体硅太阳能电池，能够减小电池的金属复合，提高电池的开路电压。

为了达到上述目的，本实用新型采用以下的技术方案：

一种太阳能电池背面结构，硅片的背面依次覆盖有第一隧穿氧化层和p+掺杂层，所述第一隧穿氧化层和p+掺杂层上局部开设有第一开槽，所述p+掺杂层远离所述第一隧穿氧化层的一侧以及第一隧穿氧化层和p+掺杂层靠近第一开槽的侧面上覆盖有第一氮化硅层；

覆盖在所述p+掺杂层远离第一隧穿氧化层一侧的第一氮化硅层上具有第二开槽，所述第二开槽内具有第二隧穿氧化层；

位于所述第一开槽内的相邻第一氮化硅层之间以及位于第二开槽内设置有n+掺杂层，并在所述n+掺杂层上设置第二氮化硅层，对应所述第二氮化硅层设置有银电极。

根据本实用新型的一些优选实施方面，所述硅片背面对应n+掺杂层的区域具有第三隧穿氧化层。

根据本实用新型的一些优选实施方面，对应所述第一开槽的n+掺杂层和对应所述第二开槽内的n+掺杂层之间具有第三开槽。

根据本实用新型的一些优选实施方面，所述第一开槽内的n+掺杂层和所述第二开槽内的n+掺杂层向外延伸至同一高度。

根据本实用新型的一些优选实施方面，多个所述银电极的端部位于同一高度。

根据本实用新型的一些优选实施方面，所述第一隧穿氧化层和第二隧穿氧化层的材质为SiO₂，厚度为1～3nm。

根据本实用新型的一些优选实施方面，所述p+掺杂层为采用板式或者管式PECVD原位掺杂后形成，所述p+掺杂层的厚度为40～300nm；所述n+掺杂层为采用板式或者管式PECVD原位掺杂后形成，所述n+掺杂层的厚度为40～300nm。

根据本实用新型的一些优选实施方面，所述硅片为N型硅片。

本实用新型还提供了一种包括了如上所述的太阳能电池背面结构的TBC背接触太阳能电池。