[实用新型]肖特基二极管有效
| 申请号： | 202123027090.8 | 申请日： | 2021-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN217214725U | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 单亚东;谢刚;胡丹 | 申请（专利权）人： | 广微集成技术（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳市恒程创新知识产权代理有限公司 44542 | 代理人： | 钟永翠 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括：
衬底；
中间层，设于所述衬底的上侧，所述中间层包括自下向上依次层叠设置的外延层和氧化层，所述中间层上开设有上下延伸的沟槽，所述沟槽延伸至所述外延层内部；
栅氧化层，设于所述沟槽的内侧壁，并在所述沟槽内限定出通道；
多晶硅层，设于所述通道内，包括自下向上依次叠设的第一多晶硅层和第二多晶硅层，所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层其中之一为高阻多晶硅层，其中另一为低阻多晶硅层，所述高阻多晶硅层的电阻大于所述低阻多晶硅层的电阻；以及，
势垒金属层，设于所述氧化层的上侧，且覆盖所述沟槽的槽口设置。
2.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述多晶硅层设置有多个，多个所述多晶硅层沿上下向依次层叠设置。
3.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述氧化层的厚度为
4.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述高阻多晶硅层的电阻大于106Ω。
5.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述低阻多晶硅层的电阻为0.001～9Ω。
6.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述多晶硅层的上表面与所述中间层的上表面平齐设置。
7.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述第一多晶硅层为高阻多晶硅层，所述第二多晶硅层为低阻多晶硅层。
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