[实用新型]一种抗辐射结构的环形压控振荡器电路

权利要求书

1.一种抗辐射结构的环形压控振荡器电路，其特征在于：

包括振荡器核心单元、比较器单元和差分延迟单元；

所述振荡器核心单元由4级所述差分延迟单元交叉级联构成的环形振荡结构；每级所述差分延迟单元由2组输入差分对管、电流源和负载晶体管构成；

所述比较器单元包括放大器电路、共模反馈电路和缓冲单元；所述放大器电路包括两个差分输入端和输出端，输入端接所述差分延迟单元的输出OUTP、OUTN，输出端分别与所述缓冲单元的输入以及所述共模反馈电路的电阻相连；

所述缓冲单元由4级反相器组成，所述放大器电路的输出通过所述缓冲单元转为轨到轨输出的脉冲信号。

2.根据权利要求1所述的一种抗辐射结构的环形压控振荡器电路，其特征在于：

所述差分延迟单元由PMOS管MP1、MP2、MP3、MP4、MP5、MP6、MP7、MP8、MP9、MP10、MP11、MP12和NMOS管MN1、MN2、MN3、MN4、MN5、MN6、MN7、MN8构成；

差分输入信号INPA、INNA分别与MN1、MN2的栅极相连，MN1、MN2的源极与MN3、MN4的漏极相连，尾电流控制信号VCTRLA与MN3、MN4的栅极相连，偏置电压信号VP与MP1、MP2、MP3、MP4的栅极相连，MP1的漏极与MP5的源极相连，MP4的漏极与MP6的源极相连，MP5的栅极、漏极与MP2的漏极、MN1的漏极接输出信号OUTN，MP6的栅极、漏极与MP3的漏极、MN2的漏极接输出信号OUTP；

差分输入信号INPB、INNB分别与MN5、MN6的栅极相连，MN5、MN6的源极与MN7、MN8的漏极相连，尾电流控制信号VCTRLB与MN7、MN8的栅极相连，偏置电压信号VP与MP7、MP8、MP9、MP10的栅极相连，MP7的漏极与MP11的源极相连，MP10的漏极与MP12的源极相连，MP11的栅极、漏极与MP8的漏极、MN5的漏极接输出信号OUTN，MP12的栅极、漏极与MP9的漏极、MN6的漏极接输出信号OUTP；

差分输入信号INPA、INNA对应的输出信号OUTN、OUTP分别与差分输入信号INPB、INNB对应的输出信号OUTN、OUTP连接，作为所述差分延迟单元的整体输出信号；

PMOS管MP1、MP2、MP3、MP4、MP7、MP8、MP9、MP10的源极接电源VDD，MP1、MP2、MP3、MP4、MP5、MP6、MP7、MP8、MP9、MP10、MP11、MP12的衬底接电源VDD；NMOS管MN3、MN4、MN7、MN8的源极接地GND，MN1、MN2、MN3、MN4、MN5、MN6、MN7、MN8的衬底接地GND。