[实用新型]功率半导体器件有效
| 申请号： | 202122837813.4 | 申请日： | 2021-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN216250740U | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 高秀秀;柯攀;戴小平 | 申请（专利权）人： | 湖南国芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 廖元宝 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 | ||
1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括N型衬底(1)，所述N型衬底(1)上设有N型外延层下部分(2)，所述N型外延层下部分(2)上部形成P基区下部分(3)，所述N型外延层下部分(2)上面设有N型外延层上部分(4)，所述N型外延层上部分(4)上部设有两个P基区上部分(5)，其中一个所述P基区上部分(5)中设有N+源区(6)和P+源区(7)，所述N+源区(6)两侧的P基区上部分(5)形成沟道(14)，另一个所述P基区上部分(5)设有绝缘介质层(8)，所述绝缘介质层(8)上设有多晶硅(10)，所述多晶硅(10)上设有栅极金属(13)，所述N+源区(6)和P+源区(7)上设有源极金属(11)，所述N型衬底(1)的背面设有漏极金属(12)；将另一个所述P基区上部分(5)与N型外延层上部分(4)之间的边界线两端延伸至器件的表面和背面，以作为分界线，包含述N+源区(6)、P+源区(7)、沟道(14)和漏极金属(12)的区域作为有源区(100)，另一侧的区域则作为非有源区或栅极焊盘(101)，其中非有源区或栅极焊盘(101)靠近有源区(100)的边缘处不存在源极金属(11)。
2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述P基区上部分(5)和P+源区(7)的结深相同，均为0.3～0.7um。
3.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述P基区下部分(3)的结深为0.3～0.6um。
4.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述N型衬底(1)的电阻率为0.01～0.03Ω.cm，厚度为200～400μm。
5.根据权利要求1或2所述的功率半导体器件，其特征在于，所述N+源区(6)的结深为0.2～0.5um。
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