[实用新型]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括第一导电类型衬底、器件主体部、导体漏极、导体源极、控制栅电极以及屏蔽栅电极；

所述器件主体部的底端依次覆盖有所述第一导电类型衬底与所述导体漏极，所述器件主体部的顶端覆盖有所述导体源极；

所述器件主体部由上往下依次划分为第一导电类型重掺杂区、第二导电类型轻掺杂区以及第一导电类型漂移区，所述器件主体部的顶端凹设有一深沟槽，以分别绝缘放置所述控制栅电极与所述屏蔽栅电极；

所述第一导电类型重掺杂区的顶层外侧设置有缺口，所述缺口填充为第二导电类型重掺杂区，且所述第二导电类型重掺杂区位于所述第一导电类型重掺杂区远离所述深沟槽所在的一侧。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一导电类型衬底为第一导电类型重掺杂衬底，所述第一导电类型漂移区为第一导电类型轻掺杂漂移区。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述深沟槽由上往下依次将所述第一导电类型重掺杂区均分为第一重掺杂半区与第二重掺杂半区，将所述第二导电类型轻掺杂区均分为第一轻掺杂半区与第二轻掺杂半区，及在所述第一导电类型漂移区的顶端形成一U型槽区。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一重掺杂半区的顶层外侧设置有一所述缺口，且一所述缺口填充为一所述第二导电类型重掺杂区。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第二重掺杂半区的顶层外侧设置有另一所述缺口，另一所述缺口填充为另一所述第二导电类型重掺杂区。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述屏蔽栅电极置于所述深沟槽的U型槽区内，且所述屏蔽栅电极与所述U型槽区的内壁之间夹设有氧化层，使得所述屏蔽栅电极绝缘放置于所述深沟槽内。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述控制栅电极置于所述深沟槽内，且所述控制栅电极位于所述屏蔽栅电极的上方，所述控制栅电极的底端与所述屏蔽栅电极之间、所述控制栅电极的顶端与所述导体源极之间以及所述控制栅电极的侧壁与所述深沟槽的内壁之间均夹设有所述氧化层，使得所述控制栅电极绝缘放置于所述深沟槽内。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述控制栅电极的底端延伸至所述U型槽区内。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述控制栅电极的顶端凸出所述深沟槽的开口。

10.根据权利要求1-9任一项所述的半导体器件，其特征在于，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型；或，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。