[实用新型]提高出光均匀度的紫外发光二极管芯片结构

说明书

本公开提供了一种提高出光均匀度的紫外发光二极管芯片结构，属于发光二极管领域。p型AlGaN层延伸至n型AlGaN层的凹槽在衬底的表面的正投影呈首尾相连状，在凹槽上层叠的等比例缩小的一次n电极可以围绕在p型AlGaN层的四周。而p型AlGaN层在衬底的表面的正投影的外轮廓呈H形，一次p电极在衬底的表面的正投影为p型AlGaN层在衬底的表面的正投影等比例缩小后得到的图案，减小了需要对发光层进行刻蚀的空间，保证出光位置集中在芯片的中部，且凹槽上层叠的一次n电极将电流从p型AlGaN层的四周导向p型AlGaN层中，电流进入较为均匀。最终可以有效提高得到的紫外发光二极管的出光均匀度。

技术领域

本公开涉及发光二极管领域，特别涉及一种提高出光均匀度的紫外发光二极管芯片结构。

背景技术

紫外LED(Light Emitting Diode，发光二极管)有着广阔的市场应用前景，如紫外LED光疗仪是未来很受欢迎的医疗器械。紫外发光二极管芯片结构则是用于制备紫外发光二极管的基础结构，紫外发光二极管芯片结构均包括衬底及层叠在衬底上的多个均匀间隔的芯片，每个芯片包括n电极、p电极与外延层，n电极与p电极将电流导入外延层中使载流子在外延层中发光层中复合发光。

紫外发光二极管的芯片由于本身材料原因整体发光率较低，为提高紫外发光二极管的发光亮度，一般会增大芯片的面积，并提高注入电流强度。芯片面积大与电流强度大的前提下，如果芯片的电极位置设计不够平衡，紫外发光二极管容易出现电流从聚的问题，影响紫外发光二极管的均匀出光与可靠性。

实用新型内容

本公开实施例提供了一种提高出光均匀度的紫外发光二极管芯片结构，能够提高紫外发光二极管的出光均匀度与可靠性。所述技术方案如下：

本公开实施例提供了一种提高出光均匀度的紫外发光二极管芯片结构，所述提高出光均匀度的紫外发光二极管芯片结构包括衬底及多个均匀间隔地层叠在衬底上的芯片，每个所述芯片包括外延层、一次p电极与一次n电极，

所述外延层包括依次层叠在所述衬底上的AlN缓冲层、n型AlGaN层、发光层与p型AlGaN层，所述p型AlGaN层具有延伸至所述n型AlGaN层的凹槽，所述凹槽在所述衬底的表面的正投影呈首尾相连状，所述p型AlGaN层在所述衬底的表面的正投影的外轮廓呈H形，所述一次p电极层叠在所述p型AlGaN层远离所述衬底的表面，且所述一次p电极在所述衬底的表面的正投影为所述p型AlGaN层在所述衬底的表面的正投影等比例缩小后得到的图案，

所述一次n电极层叠在所述n型AlGaN层被所述凹槽暴露的表面，且所述一次n电极在所述衬底的表面的正投影为所述n型AlGaN层在所述衬底的表面的正投影等比例缩小后得到的图案。

可选地，所述p型AlGaN层在所述衬底的表面的正投影的外轮廓为中心对称图形。

可选地，所述凹槽在所述衬底的表面的正投影为中心对称图形，且所述凹槽在所述衬底的表面的正投影的对称中心与所述p型AlGaN层在所述衬底的表面的正投影的外轮廓的对称中心重合。

可选地，所述p型AlGaN层在所述衬底的表面的正投影包括相互平行的第一条形部分、第二条形部分以及连接所述第一条形部分与所述第二条形部分的条形连接部件，所述条形连接部分的长度方向垂直于所述第一条形部分，所述第一条形部分的宽度与所述条形连接部分的宽度相等。

可选地，所述条形连接部分的长度小于所述第一条形部分的宽度。

可选地，所述第一条形部分的长度为100-2000um，所述第一条形部分的宽度为50-200um，所述条形连接部分的长度为20-100um。