[实用新型]提高出光均匀度的紫外发光二极管芯片结构

权利要求书

1.一种提高出光均匀度的紫外发光二极管芯片结构，其特征在于，所述提高出光均匀度的紫外发光二极管芯片结构包括衬底及多个均匀间隔地层叠在衬底上的芯片，每个所述芯片包括外延层、一次p电极与一次n电极，

所述外延层包括依次层叠在所述衬底上的AlN缓冲层、n型AlGaN层、发光层与p型AlGaN层，所述p型AlGaN层具有延伸至所述n型AlGaN层的凹槽，所述凹槽在所述衬底的表面的正投影呈首尾相连状，所述p型AlGaN层在所述衬底的表面的正投影的外轮廓呈H形，所述一次p电极层叠在所述p型AlGaN层远离所述衬底的表面，且所述一次p电极在所述衬底的表面的正投影为所述p型AlGaN层在所述衬底的表面的正投影等比例缩小后得到的图案，

所述一次n电极层叠在所述n型AlGaN层被所述凹槽暴露的表面，且所述一次n电极在所述衬底的表面的正投影为所述n型AlGaN层在所述衬底的表面的正投影等比例缩小后得到的图案。

2.根据权利要求1所述的提高出光均匀度的紫外发光二极管芯片结构，其特征在于，所述p型AlGaN层在所述衬底的表面的正投影的外轮廓为中心对称图形。

3.根据权利要求2所述的提高出光均匀度的紫外发光二极管芯片结构，其特征在于，所述凹槽在所述衬底的表面的正投影为中心对称图形，且所述凹槽在所述衬底的表面的正投影的对称中心与所述p型AlGaN层在所述衬底的表面的正投影的外轮廓的对称中心重合。

4.根据权利要求1～3任一项所述的提高出光均匀度的紫外发光二极管芯片结构，其特征在于，所述p型AlGaN层在所述衬底的表面的正投影包括相互平行的第一条形部分、第二条形部分以及连接所述第一条形部分与所述第二条形部分的条形连接部件，所述条形连接部分的长度方向垂直于所述第一条形部分，所述第一条形部分的宽度与所述条形连接部分的宽度相等。

5.根据权利要求4所述的提高出光均匀度的紫外发光二极管芯片结构，其特征在于，所述条形连接部分的长度小于所述第一条形部分的宽度。

6.根据权利要求4所述的提高出光均匀度的紫外发光二极管芯片结构，其特征在于，所述第一条形部分的长度为100-2000um，所述第一条形部分的宽度为50-200um，所述条形连接部分的长度为20-100um。

7.根据权利要求6所述的提高出光均匀度的紫外发光二极管芯片结构，其特征在于，每个所述芯片还包括二次n电极与二次p电极，所述外延层还包括绝缘保护层，所述绝缘保护层覆盖所述外延层、所述一次n电极与所述一次p电极的表面，所述二次n电极与所述二次p电极相互间隔地层叠在所述绝缘保护层上，且所述二次n电极连通至所述一次n电极，所述二次p电极连通至所述一次p电极。

8.根据权利要求7所述的提高出光均匀度的紫外发光二极管芯片结构，其特征在于，所述绝缘保护层具有容纳所述二次n电极且连通所述一次n电极的n电极孔，所述绝缘保护层具有容纳所述二次p电极且连通所述一次p电极的p电极孔，在所述第一条形部分的长度方向上，所述n电极孔与所述p电极孔分别位于所述条形连接部分的两侧。

9.根据权利要求8所述的提高出光均匀度的紫外发光二极管芯片结构，其特征在于，所述绝缘保护层具有两个所述p电极孔，两个所述p电极孔在所述衬底的表面的投影分别位于所述第一条形部分与所述第二条形部分上；或者所述绝缘保护层具有一个p电极孔，所述p电极孔在所述衬底的表面的正投影为C形，且所述p电极孔在所述衬底的表面的正投影同时位于所述第一条形部分与所述第二条形部分上。

10.根据权利要求1～3任一项所述的提高出光均匀度的紫外发光二极管芯片结构，其特征在于，相邻的两个所述芯片之间的最小距离为30～100um。