[实用新型]一种多晶氮化镓生长装置

说明书

本实用新型涉及半导体材料技术领域，且公开了一种多晶氮化镓生长装置，包括进气管以及与进气管连通的喷粉管，所述进气管的进气端固定连通有筒体，所述筒体向下形成开口；所述筒体的内部固定安装有承接斗，所述承接斗的内部镶嵌有电热丝，所述承接斗固定连通有存放管，所述存放管的内部转动套接有成型件；所述成型件连接有驱动封堵机构；所述筒体通过连通管与进气管连通，所述连通管上安装有第一单向阀，所述进气管上安装有第二单向阀，所述筒体的内部固定安装有加热丝。本实用新型提出一种多晶氮化镓生长装置，本实用新型通过对氮化镓气体进行循环利用；通过驱动封堵机构，对成型件进行驱动，提高氮化镓成型的均匀性。

技术领域

本实用新型涉及半导体材料领域，尤其涉及一种多晶氮化镓生长装置。

背景技术

第三代半导体材料是以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、金刚石、氧化锌为代表的宽禁带半导体材料，其带隙能可达3.3～5.5eV，与传统的第一代半导体材料硅(Si)和锗(Ge)、第二代半导体材料砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)等相比，第三代半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能，使其在光电子器件、电力电子、射频微波器件、激光器和探测器等方面展现出巨大的应用潜力，是世界各国半导体领域研究的热点。

氮化镓单晶的生长方法有氢化物气相外延法(HydrideVaporPhaseEpitaxy，HVPE)、高压氮气溶液法、氨热法、Na助熔剂法等，但是单晶生长技术目前并不成熟，还未达到广泛应用。上述方法之中氨热法易于获得较大尺寸的单晶，但是一些将氮化镓气体喷至成型盘上，氮化镓温度降低而成型，但是存在着多余气体排出造成浪费的现象，同时一些成型盘静置，不利于气体成型的均匀性。

为解决上述问题，本申请中提出一种多晶氮化镓生长装置。

实用新型内容

(一)实用新型目的

为解决背景技术中存在的技术问题，本实用新型提出一种多晶氮化镓生长装置，本实用新型通过对氮化镓气体进行循环利用；通过驱动封堵机构，对成型件进行驱动，提高氮化镓成型的均匀性。

(二)技术方案

为解决上述问题，本实用新型提供了一种多晶氮化镓生长装置，包括进气管以及与进气管连通的喷粉管，所述进气管的进气端固定连通有筒体，所述筒体向下形成开口；

所述筒体的内部固定安装有承接斗，所述承接斗的内部镶嵌有电热丝，所述承接斗固定连通有存放管，所述存放管的内部转动套接有成型件；

所述成型件连接有驱动封堵机构；

所述筒体通过连通管与进气管连通，所述连通管上安装有第一单向阀，所述进气管上安装有第二单向阀，所述筒体的内部固定安装有加热丝。

优选的，所述成型件包括多个成型盘和多个连接杆，两个相邻的成型盘之间通过连接杆连接，所述成型盘位于进气管的内部。

优选的，所述驱动封堵机构包括驱动电机、封堵板、驱动杆和底板，所述驱动杆的一端与驱动电机驱动轴固定连接，所述驱动杆的另一端与成型盘固定连接，所述底板与封堵板均固定套装在驱动杆上，所述底板与存放管的内壁转动连接，所述封堵板与筒体的内壁转动连接。

优选的，所述成型盘与存放管上均开设有通孔。

优选的，所述连通管的内壁铺设有加热片。

优选的，所述筒体上安装有压力表，所述筒体的一侧连通有排气管，且排气管上固定安装有压力阀。

本实用新型的上述技术方案具有如下有益的技术效果：