[实用新型]一种深紫外LED封装结构有效

专利信息
申请号: 202122038017.4 申请日: 2021-08-26
公开(公告)号: CN216250784U 公开(公告)日: 2022-04-08
发明(设计)人: 何苗;高炯健;熊德平 申请(专利权)人: 广东工业大学
主分类号: H01L33/58 分类号: H01L33/58;H01L33/48;H01L33/62
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 林丽明;李炳阳
地址: 510090 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 深紫 led 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种深紫外LED封装结构,其特征在于:包括陶瓷基座、紫外LED芯片以及蓝宝石玻璃透镜,所述陶瓷基座设有凹槽,所述紫外LED芯片通过金锡共晶倒装焊接在凹槽中,紫外LED芯片的正负极与所述凹槽底面之间至少有两层金属层;所述凹槽边缘设有阶梯形结构,所述蓝宝石玻璃透镜安装于阶梯形结构上,并完全覆盖凹槽。

2.根据权利要求1所述深紫外LED封装结构,其特征在于:所述蓝宝石玻璃透镜的上下表面均设有纳米透镜阵列。

3.根据权利要求2所述深紫外LED封装结构,其特征在于:所述纳米透镜阵列成分为SiO2,通过干法刻蚀、湿法刻蚀相结合加工在蓝宝石玻璃透镜上下表面。

4.根据权利要求3所述深紫外LED封装结构,其特征在于:所述凹槽与所述蓝宝石玻璃透镜形成的密闭空间中填充有保护性气体。

5.根据权利要求4所述深紫外LED封装结构,其特征在于:所述蓝宝石玻璃透镜的立方体单元朝向紫外LED芯片一面的透镜曲率半径为25-28nm,相对的一面的透镜曲率半径为20-22nm。

6.根据权利要求1-5任一项所述深紫外LED封装结构,其特征在于:所述紫外LED芯片的光线主波长为250-280nm。

7.根据权利要求5所述深紫外LED封装结构,其特征在于:所述立方体单元的透镜厚度为10-12nm。

8.根据权利要求7所述深紫外LED封装结构,其特征在于:所述紫外LED芯片的外形尺寸为1mm X 1mm,底部为对称电极。

9.根据权利要求8所述深紫外LED封装结构,其特征在于:所述陶瓷基座为氮化铝陶瓷基座。

10.根据权利要求9所述深紫外LED封装结构,其特征在于:所述阶梯形结构与所述蓝宝石玻璃透镜之间通过含氟聚合物密封剂来粘结。

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