[实用新型]一种提升9寸掩膜版清洗安全和清洗效率的夹具有效
申请号: | 202121796789.8 | 申请日: | 2021-08-03 |
公开(公告)号: | CN215769348U | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 黄志斌 | 申请(专利权)人: | 深圳清溢光电股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/82 | 分类号: | G03F1/82 |
代理公司: | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人: | 宫建华 |
地址: | 518000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提升 寸掩膜版 清洗 安全 效率 夹具 | ||
本实用新型公开了一种提升9寸掩膜版清洗安全和清洗效率的夹具,包括夹具本体,为设备主要的夹持结构,所述夹具本体的内表面设置有连接臂,所述连接臂的另一端连接有螺杆;清洗池,位于所述夹具本体的底端,所述清洗池的内表面设置有连接杆;套筒,位于所述夹具本体的顶端,所述套筒内部与所述的螺杆外表面相互连接。该提升9寸掩膜版清洗安全和清洗效率的夹具,通过设置八个支撑座对掩膜版的侧面进行固定,能够提高对掩膜版支撑的稳定性,避免在清洗过程中施力不均匀而导致掩膜版从夹具内部翘起,不仅增加了清洗的安全性,同时也增加了对掩膜版的清洗效率。
技术领域
本实用新型涉及掩膜版夹具技术领域,具体为一种提升9寸掩膜版清洗安全和清洗效率的夹具。
背景技术
掩膜版的湿法清洗系统一般由用化学反应去除有机物、用毛刷物理力量去除大颗粒、用超声波空穴效应去除小颗粒、用水分子的运动能量去除小颗粒、用纯N2去干燥掩膜版等五大功能模块组成,在清洗的过程中需要夹具进行限位固定,避免滑落对掩膜版造成损伤。
然而现有9寸掩膜版的四个角距离夹具支撑点较远,约等于掩膜版边长的一半为114.3mm,当毛刷清洗到掩膜版的四个边角时,根据杠杆原理,操作员工稍微用力大一点或者用力不均匀,就很容易把掩膜版整体从夹具上翘起或者脱离支撑部位,不仅会导致掩膜版表面不平,影响清洗效果,同时还容易导致掩膜版背面有刮痕甚至甩出夹具等报废,因此,需要一种提升9寸掩膜版清洗安全和清洗效率的夹具。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种提升9寸掩膜版清洗安全和清洗效率的夹具,以解决上述背景技术中提出现有9寸掩膜版的四个角距离夹具支撑点较远,约等于掩膜版边长的一半为114.3mm,当毛刷清洗到掩膜版的四个边角时,根据杠杆原理,操作员工稍微用力大一点或者用力不均匀,就很容易把掩膜版整体从夹具上翘起或者脱离支撑部位,不仅会导致掩膜版表面不平,影响清洗效果,同时还容易导致掩膜版背面有刮痕甚至甩出夹具等报废的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种提升9寸掩膜版清洗安全和清洗效率的夹具,包括:
夹具本体,为设备主要的夹持结构,所述夹具本体的内表面设置有连接臂,所述连接臂的另一端连接有螺杆;
清洗池,位于所述夹具本体的底端,所述清洗池的内表面设置有连接杆;
套筒,位于所述夹具本体的顶端,所述所述套筒内部与所述的螺杆外表面相互连接。
作为本实用新型的优选技术方案,所述夹具本体顶表面环形分布有第一支撑座和第二支撑座,所述第一支撑座和第二支撑座关于夹具本体横竖切面镜像分布,所述第一支撑座和第二支撑座数量为8个。
采用上述技术方案,第一支撑座和第二支撑座对称设置,且环形分布在夹具本体的顶端外表面,能够为掩膜版每个面的两端进行限位,增加掩膜版的受力点,避免在清洗时因受力点集中而导致外层皮翘起。
作为本实用新型的优选技术方案,所述第一支撑座和第二支撑座内部均设置有限位槽,所述限位槽内部设置有缓冲凸点。
采用上述技术方案,第一支撑座和第二支撑座通过限位槽与掩膜版外表面相互吻合,并且由缓冲凸点增加与掩膜版的摩擦力,避免在清洗时受力不均匀而导致掩膜版掉落。
作为本实用新型的优选技术方案,所述第一支撑座与第二支撑座的长度小于夹具本体厚度。
采用上述技术方案,第一支撑座与第二支撑座数量与位置分散均匀,使掩膜版外表面与第一支撑座与第二支撑座支撑点的受力更加稳定。
作为本实用新型的优选技术方案,所述螺杆与套筒为螺纹连接,所述套筒通过连接杆与清洗池相互连接,所述套筒与清洗池之间形成排水槽。
采用上述技术方案,螺杆与套筒内部螺纹传动,能够调节夹具本体的高度,并且高度保持一致,同时还可以调节掩膜版的朝向。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备