[实用新型]一种大功率多通路TVS器件

说明书

本实用新型公开了一种大功率多通路TVS器件，其特征在于，包括塑封壳体、下框架、下TVS芯片、上TVS芯片和上框架；所述下框架为位于塑封壳体的底端，所述下框架设有引脚部，所述引脚部露出塑封壳体；所述下TVS芯片固定在所述下框架上方，所述下TVS芯片与下框架建立电性连接；两个或多个所述上TVS芯片固定在所述下TVS芯片上方，所述上TVS芯片与所述下TVS芯片串联，不同TVS芯片之间并联；两个或多个所述上框架分别于所述上TVS芯片连接，所述上框架与上TVS上芯片一一对应，所述上框架设有引脚部并延伸出塑封壳体。

技术领域

本实用新型涉及半导体领域，具体为一种大功率多通路TVS器件。

背景技术

瞬态电压抑制二极管(TransientVoltageSuppressor)简称TVS二极管，是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以极高的速度(最高达10的负12次方秒量级)使其阻抗骤然降低，同时吸收一个大电流，将其两端间的电压箝位在一个预定的数值上，从而确保后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。

如图1所示，现有的TVS管只能保护一路电路，且功率较小，无法满足多路的电路保护需求，往往需要单独使用多个TVS管，对于小型电子产品，无形中增加了产品体积。

发明内容

本实用新型的发明目的在于提供一种大功率多通路TVS器件。

本实用新型解决上述技术问题所采取的技术方案如下：

一种大功率多通路TVS器件，包括塑封壳体、下框架、下TVS芯片、上TVS芯片和上框架；

所述下框架为位于塑封壳体的底端，所述下框架设有引脚部，所述引脚部露出塑封壳体；

所述下TVS芯片固定在所述下框架上方，所述下TVS芯片与下框架建立电性连接；

两个或多个所述上TVS芯片固定在所述下TVS芯片上方，所述上TVS芯片与所述下TVS芯片串联，不同TVS芯片之间并联；

两个或多个所述上框架分别于所述上TVS芯片连接，所述上框架与上TVS上芯片一一对应，所述上框架设有引脚部并延伸出塑封壳体。

进一步的，所述下框架的引脚部和上框架的引脚部位于同一水平面。

进一步的，所述下框架的底面设有引脚部，所述上框架一端与上TVS芯片连接，另一端向下延伸至塑封壳体的底端形成引脚部。

进一步的，所述TVS器件厚度为3-5mm。

进一步的，所述上框架为分段式，上框架的中间设有合金丝连接上框架的两端，所述合金丝为可熔断材料。

进一步的，所述上框架和下框架材料为金属铜。

进一步的，所述塑封壳体的材料为环氧树脂。

应用本实用新型的技术方案，具有以下优点：

1.下TVS芯片面积较大和多个小的上TVS芯片的串联，可以同时保护多路电路；

2.上TVS芯片和下TVS芯片串联的双层结构，相比单层芯片的结构，TVS器件的耐压能力增加，满足了大功率的使用场景；

3.下框架的底端为引脚部，引脚部无需向下弯折180度，减小了TVS器件的厚度；

4.上框架的两端通过可熔断的合金丝的连接，当保护机制触发，金属丝熔断，TVS器件内部形成断路，保护效果更好。

实用新型的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本实用新型而了解。本实用新型的目的和其他优点可通过在所写的说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明