[实用新型]光谱芯片和光谱分析装置有效
| 申请号: | 202121623561.9 | 申请日: | 2021-07-16 |
| 公开(公告)号: | CN215069988U | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
| 发明(设计)人: | 张鸿;黄志雷;王宇 | 申请(专利权)人: | 北京与光科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01J1/04;G01J1/42 |
| 代理公司: | 北京唐颂永信知识产权代理有限公司 11755 | 代理人: | 刘伟 |
| 地址: | 100083 北京市海淀区王*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光谱 芯片 光谱分析 装置 | ||
1.一种光谱芯片,其特征在于,包括:
传感单元;以及
被保持于所述传感单元的感光路径上的调制单元,其中,所述调制单元包括衬底和形成于所述衬底上的至少一光调制结构,所述光调制结构耦接于所述传感单元,所述衬底位于所述光调制结构的上方且用于保护所述光调制结构。
2.根据权利要求1所述的光谱芯片,其中,所述衬底的制成材料选自二氧化硅、氧化铝、亚克力、锗或塑料。
3.根据权利要求1所述的光谱芯片,其中,所述光调制结构包括至少一光调制单元,至少部分所述光调制单元被填充物填充。
4.根据权利要求1所述的光谱芯片,其中,所述至少一光调制结构包括耦接于所述传感单元的第一光调制结构和耦接于所述第一光调制结构的第二光调制结构。
5.根据权利要求4所述的光谱芯片,进一步包括设置于所述第一光调制结构和所述第二光调制结构之间的连接层,以通过所述连接层将所述第二光调制结构耦接于所述第一光调制结构。
6.根据权利要求4所述的光谱芯片,其中,所述第一光调制结构包括至少一光调制单元,所述第二光调制结构包括至少一光调制单元,所述第一光调制结构和/或所述第二光调制结构的至少部分所述光调制单元被填充物填充。
7.根据权利要求5所述的光谱芯片,其中,所述第一光调制结构和所述第二光调制结构由折射率相对较高的材料制成,所述连接层由折射率相对较低的材料制成。
8.根据权利要求1所述的光谱芯片,进一步包括形成于所述传感单元的介质层,其中,所述调制单元以结合于所述介质层的方式被耦接于所述传感单元。
9.根据权利要求8所述的光谱芯片,其中,所述介质层的表面中用于结合所述调制单元的部分为平整表面。
10.根据权利要求8所述的光谱芯片,进一步包括形成于所述光调制结构的结合层,其中,所述结合层被结合于所述介质层,通过这样的方式,所述调制单元以结合于所述介质层的方式被耦接于所述传感单元。
11.根据权利要求10所述的光谱芯片,其中,所述介质层和所述结合层由相同的材料制成。
12.根据权利要求10所述的光谱芯片,其中,所述至少一光调制结构中邻近于所述传感单元的所述光调制结构的下表面与所述介质层的上表面之间的距离小于等于10um。
13.根据权利要求12所述的光谱芯片,其中,所述至少一光调制结构中邻近于所述传感单元的所述光调制结构的下表面与所述介质层的上表面之间的距离超过预设阈值的比例小于等于10%。
14.根据权利要求10所述的光谱芯片,其中,所述光调制结构包括至少一光调制单元,其中,所述至少一光调制结构中邻近于所述传感单元的所述光调制结构的下表面与所述介质层的上表面之间的距离小于等于所述光调制单元的边长。
15.根据权利要求12所述的光谱芯片,其中,所述至少一光调制结构中邻近于所述传感单元的所述光调制结构的下表面中任意两个区域与所述介质层的上表面中对应两个区域之间的距离的差值小于等于10um。
16.根据权利要求1所述的光谱芯片,其中,所述光调制结构包括调制部分和非调制部分,所述调制部分包括至少一光调制单元,所述非调制部分包括至少一滤光单元。
17.根据权利要求16所述的光谱芯片,其中,所述滤光单元以阵列方式进行排布以形成拜尔滤波器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





