[实用新型]一种抗湿热衰减的太阳能电池有效
申请号: | 202121572196.3 | 申请日: | 2021-07-12 |
公开(公告)号: | CN214956899U | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 邹杨;王尧;殷丽;陈达明 | 申请(专利权)人: | 天合光能股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 刘二艳 |
地址: | 213031 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 湿热 衰减 太阳能电池 | ||
本实用新型提供了一种抗湿热衰减的太阳能电池,所述抗湿热衰减的太阳能电池的正面栅线结构和/或背面栅线结构包括至少两层栅线层,沿远离所述抗湿热衰减的太阳能电池表面的方向,所述栅线层逐层覆盖。本实用新型通过设置具有至少两层栅线层结构的正面栅线结构和/或背面栅线结构,并且栅线层逐层覆盖,表层的栅线层能够满足焊接要求,而且能够保护内层的栅线层,从而能够在湿热环境下不被腐蚀。
技术领域
本实用新型属于太阳能电池技术领域,尤其涉及一种抗湿热衰减的太阳能电池。
背景技术
随着太阳能产业技术的不断发展进步,人们越发重视N型太阳能电池的研究并不断在太阳能电池效率及组件功率上实现一次次历史性的突破。在追寻越高电池转换效率及组件功率的道路上,人们也面临着一个个技术上的难题,其中组件湿热失效风险就是其中之一。
DH(Dump heat),指湿热试验,是太阳能电池组件在一定的模拟温度和湿度条件下进行性能衰减测试。目前行业内主要检测的有DH-500h、DH-1000h、DH-1500h等等,其中500h、1000h以及1500h均代表实验持续的时间长短,时间越长,组件模拟衰减的过程越长,对组件抗湿热衰减的能力要求就越高。
N型电池组件的抗湿热衰减的能力一方面受组件制备工艺的影响,另一方面很大程度也受组件原材料-N型太阳能电池片的影响,如果N型电池片本身有一定的抗湿热衰减能力,那对于制备后组件的抗湿热衰减性能会有很明显的提升。
CN108198884A公开了耐湿热的太阳能电池背板及其制造方法。所述背板包括依次复合的耐候层、连接层、结构增强层和反射层,所述耐候层为双向拉伸PA耐候膜,或由聚酰胺(PA)、热稳定剂、抗紫外线稳定剂和无机材料制成;所述结构增强层由聚丙烯、改性聚丙烯、或者合金制成,所述合金为聚丙烯与工程塑料的合金,或者为改性聚丙烯与工程塑料的合金。太阳能电池背板,以聚酰胺(PA)代替传统的氟膜材料作为耐候层,不仅能保证耐候性能,而且成本大大降低。同时以聚丙烯(PP)代替传统的PET材料作为结构增强层,避免了传统PET结构增强层耐湿热水解性能差,在长期湿热环境使用中会脆化开裂的问题,并能配合PA耐候层进一步提高背板的耐湿热老化性能。
CN102867917A公开了一种用于柔性有机太阳能电池的柔性薄膜,在柔性透明基材的一侧设置透明导电膜,在柔性透明基材的另一侧依次设置阻隔层和功能层,所述功能层由里到外依次为有机氟树脂层和有机无机混合层。该发明的柔性薄膜耐紫外、耐湿热、表面硬度高,用于制作柔性有机太阳能电池可显著提高电池的使用寿命。
CN112736152A公开了一种长寿命太阳能光伏背板及其制备工艺。所述光伏背板从上到下包括第一聚烯烃层和第二聚烯烃层,所述第一聚烯烃层包括聚烯烃和纳米二氧化硅,重量比为1:(0.2~0.4)。通过使用两层聚烯烃作为光伏背板,其中作为内层的第一聚烯烃层和光伏组件粘结,受到光伏组件热等的传递,具有好的耐热和散热性能,提高光伏材料的使用寿命;通过使用外层的第二聚烯烃层和外界接触,可减少光伏背板受水汽、高低温的影响,进一步提高使用寿命;通过在两层聚烯烃层选择合适的聚烯烃作为连续相,无机颗粒作为分散相,有利于提高共挤出时,两层聚烯烃层之间的附着性,提高长期使用寿命。
现有太阳能电池均存在结构复杂、制备工艺复杂和耐湿热效果差,因此,如何在保证太阳能电池具有结构简单和易于制备的情况下,还能够具有良好的耐湿热效果,有效提高电池寿命,成为目前迫切需要解决的问题。
实用新型内容
针对现有技术存在的不足,本实用新型的目的在于提供一种抗湿热衰减的太阳能电池,通过设计至少两层栅线层的结构,表层栅线层保护内层栅线层,能够同时在酸性、有水汽及空气等环境下不易被氧化或腐蚀,具有结构简单、便于制备、易于工业化生产、抗湿热效果好以及使用寿命久等特点。
为达此目的,本实用新型采用以下技术方案:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的