[实用新型]一种抗湿热衰减的太阳能电池有效
| 申请号： | 202121572196.3 | 申请日： | 2021-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN214956899U | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 邹杨;王尧;殷丽;陈达明 | 申请（专利权）人： | 天合光能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 刘二艳 |
| 地址： | 213031 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 湿热 衰减 太阳能电池 | ||
1.一种抗湿热衰减的太阳能电池，其特征在于，所述抗湿热衰减的太阳能电池的正面栅线结构和/或背面栅线结构包括至少两层栅线层，沿远离所述抗湿热衰减的太阳能电池表面的方向，所述栅线层逐层覆盖。
2.根据权利要求1所述的抗湿热衰减的太阳能电池，其特征在于，所述正面栅线结构和背面栅线结构均包括两层栅线层；
所述正面栅线结构包括层叠设置的第一正面栅线层和第二正面栅线层，所述第二正面栅线层的栅线覆盖相对应的第一正面栅线层的栅线；
所述背面栅线结构包括层叠设置的第一背面栅线层和第二背面栅线层，所述第二背面栅线层的栅线覆盖相对应的第一背面栅线层的栅线。
3.根据权利要求1所述的抗湿热衰减的太阳能电池，其特征在于，所述抗湿热衰减的太阳能电池包括衬底，所述衬底的正面依次层叠设置有发射极层、正面钝化层以及所述正面栅线结构，所述衬底的背面依次层叠设置有隧穿氧化层、多晶硅层、背面钝化层和所述背面栅线结构。
4.根据权利要求2所述的抗湿热衰减的太阳能电池，其特征在于，所述第二正面栅线层的栅线宽度比第一正面栅线层的栅线宽度大1～4μm。
5.根据权利要求2所述的抗湿热衰减的太阳能电池，其特征在于，所述第二背面栅线层的栅线宽度比第一背面栅线层的栅线宽度大1～4μm。
6.根据权利要求2所述的抗湿热衰减的太阳能电池，其特征在于，所述第一正面栅线层中栅线的轴线与相对应的所述第二正面栅线层中栅线的轴线重合；
所述第一背面栅线层中栅线的轴线与相对应的所述第二背面栅线层中栅线的轴线重合。
7.根据权利要求2所述的抗湿热衰减的太阳能电池，其特征在于，所述第一正面栅线层的栅线宽度为18～26μm；
所述第一背面栅线层的栅线宽度为18～26μm。
8.根据权利要求1所述的抗湿热衰减的太阳能电池，其特征在于，所述正面栅线结构的材质为银、铝或银铝合金中的任意一种。
9.根据权利要求1所述的抗湿热衰减的太阳能电池，其特征在于，所述背面栅线结构的材质为银、铝或银铝合金中的任意一种。
10.根据权利要求1所述的抗湿热衰减的太阳能电池，其特征在于，所述抗湿热衰减的太阳能电池的类型为N型太阳能电池。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
