[实用新型]一种简易的SIC-MOSFET驱动钳位电路

权利要求书

1.一种简易的SIC-MOSFET驱动钳位电路，其特征在于，包括驱动芯片（1）、驱动模块和SIC-MOSFET，SIC-MOSFET包括上桥臂SIC-MOSFET、下桥臂SIC-MOSFET，驱动芯片的输出端与驱动模块得输入端连接；所述驱动模块包括上桥臂电路、下桥臂电路，上桥臂电路和下桥臂电路的结构相同；所述上桥臂电路与上桥臂SIC-MOSFET的栅极连接，下桥臂电路与下桥臂SIC-MOSFET的栅极连接，上桥臂电路及下桥臂电路均包括正压钳位模块和负压钳位模块；所述的在上桥臂电路中，正压钳位模块一端和负压钳位模块的输出端连接，正压钳位模块另一端和负压钳位模块的输入端连接，负压钳位模块的输出端和上桥臂SIC-MOSFET的栅极连接，上桥臂SIC-MOSFET的源极和下桥臂SIC-MOSFET的漏极连接。

2.根据权利要求1所述的一种简易的SIC-MOSFET驱动钳位电路，其特征在于，所述的上桥臂电路中包括驱动放电回路、电阻R2，驱动放电回路与电阻R2并联，驱动放电回路的输出端与驱动芯片（1）的输出电压端连接，驱动放电回路的输入端与上桥臂SIC-MOSFET的栅极连接。

3.根据权利要求2所述的一种简易的SIC-MOSFET驱动钳位电路，其特征在于，在上桥臂电路中，驱动放电回路包括电阻R1和二极管D2，电阻R1的第二端和二极管D2的阴极连接，电阻R1的第一端与电阻R2的第一端连接，二极管D2的阳极与电阻R2的第二端连接。

4.根据权利要求1所述的一种简易的SIC-MOSFET驱动钳位电路，其特征在于，所述的在上桥臂电路中负压钳位模块包括一个快恢复二极管D4，快恢复二极管D4的阴极与上桥臂SIC-MOSFET的栅极连接。

5.根据权利要求1或2或4所述的一种简易的SIC-MOSFET驱动钳位电路，其特征在于，所述上桥臂电路的正压钳位模块包括一个放电电阻R3和一个PNP的三极管Q1，PNP的三极管Q1的发射极与放电电阻R3的第一端连接，PNP的三极管Q1的基极与电阻R2的第一端连接，PNP的三极管Q1的集电极与快恢复二极管D4的阳极连接，放电电阻R3的第二端与二极管D2阳极连接。

6.根据权利要求1或3或4所述的一种简易的SIC-MOSFET驱动钳位电路，其特征在于，所述的上桥臂电路包括电容器C1、电容器C2、二极管D1、二极管D3, 二极管D1的阳极和二极管D3阴极连接，二极管D1的阴极与电容器C1的第一端连接，二极管D3阳极与电容器C1的第二端连接，电阻R1的第一端与二极管D1的阳极连接，电容器C2的第一端与快恢复二极管D4的阴极连接，电容器C2的第二端与快恢复二极管D4的阳极连接。

7.根据权利要求1或4或5所述的一种简易的SIC-MOSFET驱动钳位电路，其特征在于，所述在上桥臂电路中，正压钳位模块中放电电阻R3的第二端与负压钳位模块中快恢复二极管D4的阴极连接，PNP的三极管Q1的集电极与快恢复二极管D4的阳极连接。